CharakteristikGalliumnitrid (GaN) ist ein binärer III/V-Halbleiter mit direkter Bandlücke, der seit den 1990er Jahren häufig in Leuchtdioden verwendet wird. Die Verbindung ist ein sehr hartes Material, das eine Wurtzit-Kristallstruktur aufweist. Seine große Bandlücke von 3,4 eV verleiht ihm besondere[clarification needed] Eigenschaften für Anwendungen in optoelektronischen,[8][9] Hochleistungs- und Hochfrequenzbauelementen. Chemische Formel:GaNMoläre Masse:83,730 g/molAussehen:gelbes PulverDichte:6,1 g/cm3Schmelzpunkt:1600 °CSolöslichkeit in Wasser:UnlöslichBandspalt:3,4 eV (300 K, direkt)Elektronenbeweglichkeit:1500 cm2/(V·s) (300 K)Wärmeleitfähigkeit:1,3 W/(cm·K) (300 K)Brechungsindex (nD):2,429Kristallstruktur:WurtzitAnwendungSeine Empfindlichkeit gegenüber ionisierender Strahlung ist gering (wie andere Nitride der Gruppe III), was es zu einem geeigneten Material für Solarzellenarrays für Satelliten macht. Auch Militär- und Raumfahrtanwendungen könnten davon profitieren, da sich die Geräte in Strahlungsumgebungen als stabil erwiesen haben. Da GaN-Transistoren bei viel höheren Temperaturen und Spannungen als Galliumarsenid (GaAs)-Transistoren arbeiten können, sind sie ideale Leistungsverstärker bei Mikrowellenfrequenzen. Darüber hinaus bietet GaN vielversprechende Eigenschaften für THz-Bauelemente.
Die VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) wendet ein strenges Qualitätssicherungssystem an, um die Zuverlässigkeit unserer Produktqualität zu gewährleisten. In der gesamten Produktionskette werden strenge Qualitätskontrollen durchgeführt, und bei fehlerhaften Produkten setzen wir das Prinzip der Nachbesserung streng durch. Jede Charge wird erst dann freigegeben, wenn sie detaillierte Spezifikationstests bestanden hat.
Jede Charge unserer Materialien wird von unabhängiger Seite getestet, und falls erforderlich, senden wir Proben an zertifizierte Unternehmen zur Prüfung. Wir liefern diese Dokumente und Analysezertifikate zusammen mit der Lieferung, um zu bestätigen, dass unsere Produkte die erforderlichen Standards erfüllen.
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