| ID prodotto | Formula | Purity | Dimensione | Quantity | Prezzo in € | Inchiesta |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 140600ST001 | SiC | 99.5% | 299.6mm x 129mm x 5mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST002 | SiC | 99.5% | Ø 25.4mm x 3.175 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST003 | SiC | 99.5% | Ø 25.4mm x 6.35 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST004 | SiC | 99.5% | Ø 50.8mm x 3.175 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST005 | SiC | 99.5% | Ø 50.8mm x 6.35 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST006 | SiC | 99.5% | Ø 76.2mm x 3.175mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST007 | SiC | 99.5% | Ø 76.2mm x 6.35mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST008 | SiC | 99.5% | Ø 101.6mm x 3.175 mm | 1 | 436.00 | Inquire |
I target di sputtering in carburo di silicio sono realizzati con un semiconduttore ceramico a banda larga caratterizzato da eccezionale durezza, elevata conduttività termica, eccellente stabilità termica e straordinaria resistenza chimica. Queste proprietà rendono il SiC un materiale ideale per applicazioni nel settore dei semiconduttori, dei rivestimenti ottici e dell’elettronica ad alta potenza.
VIMATERIAL offre bersagli in SiC ad alta purezza, disponibili in varie dimensioni per soddisfare le vostre esigenze. Contattateci per ulteriori informazioni.
Durezza e resistenza all’usura: il carburo di silicio presenta una durezza secondo la scala di Mohs compresa tra circa 9,2 e 9,5, garantendo un’eccellente resistenza all’usura e riducendo al minimo la generazione di particelle durante lo sputtering, con conseguente maggiore durata del target e maggiore stabilità del processo.
Stabilità termica: con un punto di fusione superiore a 2700 °C e un’elevata conducibilità termica, il carburo di silicio mantiene un’eccellente stabilità dimensionale in condizioni di sputtering ad alta potenza.
Proprietà elettriche e ottiche: il carburo di silicio offre eccellenti prestazioni elettriche, insieme a un ampio bandgap e a un’elevata rigidità dielettrica, rendendolo adatto a dispositivi a semiconduttori, elettronica RF e film sottili ottici.
| Caratteristica | Valore |
| Materiale | Carburo di silicio |
| Formula | SiC |
| Purezza | 99,5% |
| Densità | ≥98% teorico |
| Forma | Rotonda / Rettangolare / Personalizzata |
| Spessore | 3–20 mm |
| Incollaggio | Indio / Elastomero / Personalizzato |
| Finitura superficiale | Rettificato / Lucidato |
| Produzione | Pressatura a caldo / Sinterizzazione |
I tipici target di sputtering in SiC sono disponibili nelle seguenti dimensioni:
Spessore:
Sono disponibili dimensioni personalizzate, incollaggio su piastra di supporto e tolleranze di lavorazione in base ai disegni forniti dal cliente.
I bersagli di sputtering in carburo di silicio sono ampiamente utilizzati per:
D1. Che cos’è un bersaglio di sputtering in carburo di silicio (SiC)?
Un bersaglio in carburo di silicio è un materiale di alta purezza utilizzato nella deposizione fisica da vapore (PVD) per depositare film sottili di SiC. È apprezzato per la sua elevata durezza, l’eccellente conduttività termica, la stabilità chimica e l’ampio bandgap, che lo rendono adatto ad applicazioni nel campo dei semiconduttori, dell’ottica e delle alte temperature.
D2. A cosa servono i target di sputtering in carburo di silicio?
Sono comunementeutilizzatiper dispositivi a semiconduttori, elettronica di potenza, componenti RF, rivestimenti ottici, dispositivi MEMS, rivestimenti resistenti all’usura e celle solari a film sottile. Vengono impiegati anche nel settore aerospaziale e in altre applicazioni industriali ad alta temperatura.
D3. È possibile richiedere un servizio personalizzato?
Sì. È possibile fornire dimensioni, forme, spessori, incollaggio della piastra di supporto e tolleranze di lavorazione personalizzati in base alle specifiche del vostro sistema di sputtering o ai disegni tecnici.
D4. È disponibile una piastra di supporto incollata?
Sì. I bersagli di sputtering in carburo di silicio possono essere forniti con piastre di supporto incollate utilizzando materiali e processi di incollaggio adeguati per migliorare la dissipazione del calore, la stabilità meccanica e le prestazioni di sputtering.
D5. Quali metodi di deposizione sono compatibili con i bersagli di sputtering in SiC?
I bersagli di sputtering in carburo di silicio sono compatibili con lo sputtering magnetron in corrente continua (DC), lo sputtering magnetron in radiofrequenza (RF) e lo sputtering reattivo, a seconda della conduttività del bersaglio e delle proprietà desiderate del film.
D6. Quali fattori influenzano le prestazioni di un bersaglio di sputtering in SiC?
La purezza, la densità, la granulometria, il processo di produzione, la finitura superficiale e la qualità dell’incollaggio del bersaglio influenzano la stabilità dello sputtering, la velocità di deposizione, la generazione di particelle e l’uniformità del film sottile. I bersagli ad alta densità e alta purezza garantiscono generalmente una maggiore durata e prestazioni di rivestimento più costanti.
VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) impiega un rigoroso sistema di garanzia della qualità per assicurare l’affidabilità dei nostri prodotti. Il controllo di qualità è rigoroso in tutta la catena di produzione e per i prodotti difettosi applichiamo rigorosamente il principio della rilavorazione e del rifacimento. Ogni lotto viene rilasciato solo dopo aver superato dettagliati test sulle specifiche.
Ogni lotto dei nostri materiali viene testato in modo indipendente e, se necessario, inviamo campioni ad aziende certificate per i test. Forniamo questi documenti e i certificati di analisi con la spedizione per certificare che i nostri prodotti soddisfano gli standard richiesti.
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