L’arseniuro di alluminio (AlAs) è un materiale semiconduttore composto III-V contenente due elementi, alluminio e arsenico. I cristalli di Ahimè hanno un sistema esagonale e appartengono alla struttura della sfalerite, e la sua banda proibita è di circa 1,42 elettronvolt. Purtroppo, i materiali hanno una scarsa conduttività elettrica a temperatura ambiente, ma la loro conduttività elettrica è notevolmente migliorata ad alte temperature. Inoltre, AlAs ha un’eccellente stabilità chimica e termica e può essere utilizzato nella produzione di dispositivi in ambienti ad alta temperatura.
Colore: arancione. Proprietà: cristallo Punto di fusione (°C): 1740. Densità (kg/m3): 3760.
L’arseniuro di alluminio è deliquescente.
As/H2 + Al —1100°C→ AlAs Al + As —600°C→ AlAs L’arseniuro di alluminio ad alta purezza può essere ottenuto mediante ricristallizzazione in atmosfera di argon.
In microelettronica:
Come materiale semiconduttore, AlAs ha eccellenti proprietà che lo rendono ampiamente utilizzato nel campo della microelettronica. L’arseniuro di alluminio può essere combinato con altri materiali semiconduttori come l’arseniuro di gallio (GaAs) e il nitruro di gallio (GaN) per preparare chip a eterogiunzione, che hanno un trasporto di elettroni ad alta velocità e un’eccellente conduttività. Allo stesso tempo, l’arseniuro di alluminio può essere utilizzato anche per preparare celle solari ad alta efficienza e modulatori magneto-ottici e altri dispositivi, con ampie prospettive applicative.
In optoelettronica:
Come materiale semiconduttore, AlAs è anche molto importante nel campo dell’optoelettronica. AlAs è in grado di preparare strutture a pozzo quantistico di alta qualità, che hanno stati quantistici speciali e possono essere utilizzate per preparare dispositivi come rivelatori a infrarossi e laser. Inoltre, l’arseniuro di alluminio è anche ampiamente utilizzato nel campo delle microonde, come la preparazione di dispositivi a microonde e antenne a microonde.
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