Titansilicid

Das Titandisilizid
-Sputtertarget TiSi₂ ist ein Verbundtarget aus Titan und Silizium, das hauptsächlich in der Halbleiterindustrie, bei integrierten Schaltkreisen und in anderen Bereichen eingesetzt wird. Durch den Sputterprozess wird eine TiSi₂-Dünnschicht aufgebracht, die unter anderem dazu dient, den Kontaktwiderstand zu verringern und die Leistung des Bauteils zu verbessern.

Wir liefern Titandisilizid-Sputtertargets. VIMATERIAL bietet auch einen Target-Bindungsservice an. Unsere Produkte können individuell angepasst und getestet werden. Bitte kontaktieren
Sie uns
bei Bedarf.

Eigenschaften

Molekülformel: TiSi₂

Molekulargewicht: 104,04 g/mol

Aussehen: In der Regel grauer oder schwarzer Feststoff

Dichte: ca. 4,39 g/cm³.

Schmelzpunkt: ca. 1540 °C

Kristallstruktur: Es gibt zwei Kristallstrukturen, C49 (Niedertemperaturphase) und C54 (Hochtemperaturphase). Die C49-Struktur ist eine metastabile Phase, während die C54-Struktur eine thermodynamisch stabile Phase darstellt. Durch geeignete Temperaturbehandlung kann eine Umwandlung von der C49-Phase in die C54-Phase erfolgen, wobei diese Kristallstrukturumwandlung einen wesentlichen Einfluss auf die elektrischen und sonstigen Eigenschaften hat.

Anwendungen von Titandisilizid-Sputtertargets

Halbleiterbereich: Titandisilizid
-Sputtertargets werden in der Halbleiterfertigung verwendet, um während des Metallisierungsprozesses des Chips eine Silizidschicht zu bilden, die den Kontaktwiderstand zwischen Source, Drain und Silizium effektiv verringert und die Chip-Leistung verbessert.

Integrierte Schaltungen: In integrierten Schaltungen kann der durch Sputtern des Targets gebildete TiSi₂-Film als Teil der Verbindungsleitungen verwendet werden, was die Leitfähigkeit der Schaltung und die Geschwindigkeit der Signalübertragung verbessert sowie die Integration und die Betriebseffizienz der integrierten Schaltungen erhöht.

Photovoltaikbereich: Titandisilizid
-Sputtertargets werden bei der Herstellung von Elektrodenmaterialien für Photovoltaikzellen verwendet; sie können den elektrischen Kontakt zwischen der Elektrode und dem Halbleitermaterial verbessern und den photoelektrischen Wirkungsgrad der Zelle steigern.

Bereich Mikroelektromechanische Systeme (MEMS): Bei der Herstellung von MEMS-Bauteilen können TiSi₂-Sputterdünnschichten als Struktur- oder Leitmaterialien verwendet werden, um mikro- und nanogroße mechanische und elektronische Komponenten zu bauen, was die Miniaturisierung und hohe Leistungsfähigkeit von MEMS-Bauteilen unterstützt.

Qualitätskontrolle

Unsere Produkte
unterliegen einem strengen Qualitätsmanagementsystem. Es gelten strenge Prüfstandards für eingehende Materialien, die Verarbeitung, die Endkontrolle und die Werksinspektion. Bei nicht konformer Verarbeitung werden strenge Isolierungsmaßnahmen ergriffen, um zu verhindern, dass nicht konforme Produkte in den nächsten Prozess gelangen. Proben werden gemäß den Kundenanforderungen zur erneuten Prüfung durch den Kunden bereitgestellt.

Verpackung und Lagerung

Sputtertargets aus Titandisilizid (TiSi₂) werden in doppelwandige Vakuumbeutel verpackt, anschließend in Kartons verpackt und außen in Kartons verstaut.

Titandisilizid-Sputtertargets sollten in einer trockenen, sauberen und gut belüfteten Umgebung mit relativ stabiler Temperatur und Luftfeuchtigkeit gelagert werden, wobei Feuchtigkeit, Oxidation, physische Stöße und Verunreinigungen zu vermeiden sind. Gleichzeitig müssen sie von anderen Substanzen isoliert werden, die eine chemische Reaktion hervorrufen könnten, um eine Beeinträchtigung ihrer Leistung und Qualität zu verhindern.

Häufig gestellte Fragen (FAQs)

F1: Was ist Titansilizid?
A: Titansilizid ist eine Verbindung aus Titan und Silizium (üblicherweise TiSi₂), die in der Halbleiterfertigung weit verbreitet ist. Es wird wegen seines geringen spezifischen elektrischen Widerstands, seiner guten thermischen Stabilität und seiner hohen Kompatibilität mit Silizium geschätzt, was es ideal für die Bildung leitfähiger Schichten, die Verringerung des Kontaktwiderstands und die Verbesserung der Leistung von integrierten Schaltkreisen und mikroelektronischen Bauelementen macht.

F2: Wozu dient ein Titansilizid-Sputtertarget?
A: Titandisilizid-TiSi₂-Sputtertargets werden hauptsächlich zur Abscheidung leitfähiger Dünnschichten in Halbleiter- und Elektronikbauelementen verwendet, wo sie Silizidschichten mit geringem Widerstand bilden, um die Chip-Leistung zu verbessern, die Leitfähigkeit der Verbindungen und die Signalgeschwindigkeit in integrierten Schaltkreisen zu erhöhen, den Elektrodenkontakt in Photovoltaikzellen für einen höheren Wirkungsgrad zu stärken und als leitfähige oder strukturelle Materialien in MEMS-Bauelementen zu dienen, um Miniaturisierung und hohe Leistung zu unterstützen.

F3: Wie lang ist die Lieferzeit?
A: Auf Lager: Sofortiger Versand
Standardprodukte: In der Regel 2–4 Wochen
Kundenspezifische Produkte: Wird anhand der erforderlichen Details festgelegt
Sonderanforderungen können besprochen werden

F4: Können Sputtertargets aus Titandisilizid individuell angepasst werden?
A: Ja, Titansilizid-Sputtertargets können vollständig an spezifische Anwendungsanforderungen angepasst werden. Wir bieten maßgeschneiderte Lösungen hinsichtlich Reinheitsgrad, Abmessungen und Formen, um unterschiedlichen Abscheidungsprozessen und Anlagen gerecht zu werden. Ob Sie Standard-Scheiben, rechteckige Targets oder spezielle Geometrien benötigen, unser Team kann diese gemäß Ihren technischen Zeichnungen und Spezifikationen fertigen. Dies gewährleistet optimale Leistung, Kompatibilität und Effizienz für Ihre jeweilige Anwendung.