Titan-Silizid

Titan-Silizid Das TiSi2-Sputtertarget ist ein Verbindungstarget aus Titan und Silizium, das hauptsächlich in Halbleitern, integrierten Schaltkreisen und anderen Bereichen verwendet wird, und zwar durch den Sputterprozess zur Abscheidung von TiSi₂-Dünnschicht, die verwendet wird, um den Kontaktwiderstand zu reduzieren, die Leistung des Geräts zu verbessern und so weiter.

Wir liefern Titansilizid TiSi2-Sputtertargets, VIMATERIAL kann auch einen Target-Bindungsservice anbieten, unsere Produkte unterliegen Anpassungen und Experimenten, bitte kontaktieren Sie uns, wenn Sie benötigen.

Charaktereigenschaften

Summenformel: TiSi₂

Molekulargewicht: 104,04

Aussehen: Normalerweise grau oder schwarz einfarbig

Dichte: ca. 4,39 g/cm³.

Schmelzpunkt: ca. 1540°C

Kristallstruktur: Es hat zwei Kristallstrukturen, C49 (Niedertemperaturphase) und C54 (Hochtemperaturphase), die C49-Struktur ist eine substabile Phase, und die C54-Struktur ist eine thermodynamisch stabile Phase, und sie kann unter geeigneter Temperaturbehandlung von der C49-Phase in die C54-Phase umgewandelt werden, und die Umwandlung dieser Kristallstruktur hat einen wichtigen Einfluss auf ihre elektrischen und anderen Eigenschaften.

Anträge

Halbleiterbereich: Titansilizid-TiSi2-Sputtertargets werden in der Halbleiterherstellung verwendet, um während des Metallisierungsprozesses des Chips eine Silizidschicht zu bilden, die den Kontaktwiderstand zwischen Quelle, Drain und Silizium effektiv reduziert und die Chipleistung verbessert.

Integrierte Schaltkreise: In integrierten Schaltkreisen kann der durch Sputtern des Targets gebildete TiSi₂-Film als Teil der Verbindungsdrähte verwendet werden, was die Leitfähigkeit der Schaltung und die Geschwindigkeit der Signalübertragung verbessert und die Integration und Betriebseffizienz der integrierten Schaltkreise erhöht.

Photovoltaikfeld: Titansilizid-TiSi2-Sputtertarget, das bei der Herstellung von Elektrodenmaterialien für Photovoltaikzellen verwendet wird, kann den elektrischen Kontakt zwischen der Elektrode und dem Halbleitermaterial verbessern und den photoelektrischen Umwandlungswirkungsgrad der Zelle verbessern.

Bereich der mikroelektromechanischen Systeme (MEMS): Bei der Herstellung von MEMS-Bauelementen können TiSi₂-gesputterte Dünnschichten als strukturelle oder leitfähige Materialien verwendet werden, um mechanische und elektronische Komponenten im Mikro- und Nanobereich zu bauen, die die Miniaturisierung und hohe Leistung von MEMS-Bauelementen unterstützen.

Qualitätskontrolle

Unsere Produkte unterliegen einem strengen Qualitätsmanagementsystem. Es gibt strenge Prüfnormen für den Materialeingang, die Verarbeitung, die Endkontrolle und die Werkskontrolle. Bei unqualifizierter Verarbeitung werden strenge Isolationsmaßnahmen getroffen, um zu verhindern, dass unqualifizierte Produkte in den nächsten Prozess gelangen. Muster werden zur erneuten Inspektion durch den Kunden gemäß den Kundenanforderungen zur Verfügung gestellt.

Verpackung und Lagerung

Titansilizid-TiSi2-Sputtertargets werden in doppelschichtigen Vakuumbeuteln verpackt und dann verpackt und draußen in Kartons verpackt.

Titansilizid-TiSi₂-Sputtertargets sollten in einer trockenen, sauberen, gut belüfteten Umgebung mit relativ stabiler Temperatur und Luftfeuchtigkeit gelagert werden, um Feuchtigkeit, Oxidation und physikalische Kollisionen sowie Verschmutzung zu vermeiden, und gleichzeitig von anderen Substanzen isoliert werden, die eine chemische Reaktion haben können, um zu verhindern, dass ihre Leistung und Qualität beschädigt wird.