| Produkt-ID | Formel | Purity | Dimension | Quantity | Preis in € | Anfrage |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 140600ST001 | SiC | 99.5% | 299.6mm x 129mm x 5mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST002 | SiC | 99.5% | Ø 25.4mm x 3.175 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST003 | SiC | 99.5% | Ø 25.4mm x 6.35 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST004 | SiC | 99.5% | Ø 50.8mm x 3.175 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST005 | SiC | 99.5% | Ø 50.8mm x 6.35 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST006 | SiC | 99.5% | Ø 76.2mm x 3.175mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST007 | SiC | 99.5% | Ø 76.2mm x 6.35mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST008 | SiC | 99.5% | Ø 101.6mm x 3.175 mm | 1 | 436.00 | Inquire |
Sputter-Targets aus Siliziumkarbid werden aus einem Keramik-Halbleiter mit großer Bandlücke hergestellt, der sich durch außergewöhnliche Härte, hohe Wärmeleitfähigkeit, hervorragende thermische Stabilität und ausgezeichnete chemische Beständigkeit auszeichnet. Diese Eigenschaften machen SiC zu einem idealen Werkstoff für Anwendungen in den Bereichen Halbleitertechnik, optische Beschichtungen und Hochleistungselektronik.
VIMATERIAL bietet hochreine SiC-Targets an, die in verschiedenen Größen erhältlich sind, um Ihren Anforderungen gerecht zu werden. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
Härte und Verschleißfestigkeit: Siliziumkarbid weist eine Mohs-Härte von ca. 9,2–9,5 auf, was eine hervorragende Verschleißfestigkeit gewährleistet und die Partikelbildung beim Sputtern minimiert, was zu einer längeren Lebensdauer des Targets und einer verbesserten Prozessstabilität führt.
Thermische Stabilität: Mit einem Schmelzpunkt von über 2700 °C und einer hohen Wärmeleitfähigkeit behält Siliziumkarbid unter Hochleistungs-Sputterbedingungen eine hervorragende Dimensionsstabilität bei.
Elektrische und optische Eigenschaften: Siliziumkarbid bietet hervorragende elektrische Eigenschaften sowie eine große Bandlücke und eine hohe Durchschlagfestigkeit, wodurch es sich für Halbleiterbauelemente, HF-Elektronik und optische Dünnschichten eignet.
| Eigenschaft | Wert |
| Material | Siliziumkarbid |
| Formel | SiC |
| Reinheit | 99,5 % |
| Dichte | ≥98 % des theoretischen Werts |
| Form | Rund / Rechteckig / Nach Maß |
| Dicke | 3–20 mm |
| Verklebung | Indium / Elastomer / Nach Maß |
| Oberflächenbeschaffenheit | geschliffen / poliert |
| Herstellung | Heißpressen / Sintern |
Typische SiC-Sputtertargets sind erhältlich in:
Dicke:
Sonderabmessungen, das Aufkleben von Trägerplatten sowie Bearbeitungstoleranzen sind gemäß Kundenzeichnungen erhältlich.
Sputtertargets aus Siliziumkarbid finden breite Anwendung bei:
Frage 1: Was ist ein Siliziumkarbid (SiC)-Sputtertarget?
Ein Siliziumkarbid-Target ist ein hochreines Targetmaterial, das bei der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) zur Abscheidung von SiC-Dünnschichten verwendet wird. Es wird wegen seiner hohen Härte, seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit, seiner chemischen Beständigkeit und seiner großen Bandlücke geschätzt, wodurch es sich für Halbleiter-, optische und Hochtemperaturanwendungen eignet.
Frage 2: Wofür werden Siliziumkarbid-Sputtertargets verwendet?
Sie werden häufigfürHalbleiterbauelemente, Leistungselektronik, HF-Komponenten, optische Beschichtungen, MEMS-Bauelemente, verschleißfeste Beschichtungen und Dünnschicht-Solarzellen eingesetzt. Außerdem finden sie in der Luft- und Raumfahrt sowie in anderen industriellen Hochtemperaturanwendungen Verwendung.
Frage 3: Bieten Sie maßgeschneiderte Lösungen an?
Ja. Je nach den Spezifikationen Ihres Sputter-Systems oder Ihren technischen Zeichnungen können wir kundenspezifische Abmessungen, Formen, Dicken, die Verklebung mit Trägerplatten sowie Bearbeitungstoleranzen anbieten.
Frage 4: Sind geklebte Trägerplatten erhältlich?
Ja. Siliziumkarbid-Sputtertargets können mit geklebten Trägerplatten geliefert werden, wobei geeignete Klebematerialien und -verfahren zum Einsatz kommen, um die Wärmeableitung, die mechanische Stabilität und die Sputterleistung zu verbessern.
Frage 5: Welche Abscheidungsverfahren sind mit SiC-Sputtertargets kompatibel?
Siliziumkarbid-Sputtertargets sind mit DC-Magnetron-Sputtern, RF-Magnetron-Sputtern und reaktivem Sputtern kompatibel, abhängig von der Leitfähigkeit des Targets und den gewünschten Schichteigenschaften.
Frage 6: Welche Faktoren beeinflussen die Leistung eines SiC-Sputtertargets?
Die Reinheit, Dichte, Korngröße, der Herstellungsprozess, die Oberflächenbeschaffenheit und die Qualität der Verklebung des Targets beeinflussen die Sputter-Stabilität, die Abscheidungsrate, die Partikelbildung und die Gleichmäßigkeit der Dünnschicht. Targets mit hoher Dichte und hoher Reinheit bieten im Allgemeinen eine längere Lebensdauer und eine gleichmäßigere Beschichtungsleistung.
Die VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) wendet ein strenges Qualitätssicherungssystem an, um die Zuverlässigkeit unserer Produktqualität zu gewährleisten. In der gesamten Produktionskette werden strenge Qualitätskontrollen durchgeführt, und bei fehlerhaften Produkten setzen wir das Prinzip der Nachbesserung streng durch. Jede Charge wird erst dann freigegeben, wenn sie detaillierte Spezifikationstests bestanden hat.
Jede Charge unserer Materialien wird von unabhängiger Seite getestet, und falls erforderlich, senden wir Proben an zertifizierte Unternehmen zur Prüfung. Wir liefern diese Dokumente und Analysezertifikate zusammen mit der Lieferung, um zu bestätigen, dass unsere Produkte die erforderlichen Standards erfüllen.
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