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Chemical Name:
Tellururo di zinco
Formula:
ZnTe
Product No.:
305200
CAS No.:
1315-11-3
EINECS No.:
215-260-2
Form:
Granules
HazMat:

MSDS

TDS

ID prodotto Formula Purity Dimensione Quantity Prezzo in € Inchiesta
305200GN001 ZnTe 99.99% 3 mm - 12 mm 100g POR Inquire
305200GN002 ZnTe 99.999% 3 mm - 6 mm 50g 344.00 Inquire
ID prodotto
305200GN001
Formula
ZnTe
Purity
99.99%
Dimensione
3 mm - 12 mm
Quantity
100g
Prezzo in €
POR
ID prodotto
305200GN002
Formula
ZnTe
Purity
99.999%
Dimensione
3 mm - 6 mm
Quantity
50g
Prezzo in €
344.00

Le particelle di tellururo di zinco sono un importante materiale semiconduttore.

 

Informazioni di base:

 

Formula chimica: ZnTe, composto da zinco (Zn) e tellurio (Te).

Peso molecolare: 193,988.

CAS: 1315-11-3.

Aspetto: Polvere solida solitamente grigia o rosso-brunastra, attraverso la sublimazione per ottenere cristalli cubici rosso rubino.

Densità: La densità relativa è di circa 6,34 g/cm³ (25 ° C).

Struttura cristallina: Ha due strutture cristalline: tipo di cristallo cubico e tipo di cristallo esagonale.

Punto di fusione: Il punto di fusione è più alto, 1238,5°C.

 

Metodo di preparazione:

 

Metodo di fusione sottovuoto: in un ambiente sottovuoto, lo zinco e il tellurio ad alta purezza vengono riscaldati a una certa temperatura (solitamente superiore a 800 ° C a 900 ° C), in modo che vengano fusi e completamente miscelati, quindi raffreddati e solidificati per ottenere materiale di tellururo di zinco, quindi macinati in particelle.

 

Metodo di metallurgia delle polveri: la polvere di zinco e la polvere di tellurio miscelate secondo una certa proporzione, dopo la macinazione, l’essiccazione e altri trattamenti, sinterizzate ad alta temperatura e alta pressione, per ottenere materiale a blocchi di tellururo di zinco e infine frantumate in particelle.

 

Campo di applicazione:

 

Campo dei semiconduttori: come importante materiale semiconduttore, può essere utilizzato per preparare dispositivi a semiconduttore, come transistor ad effetto di campo, diodi emettitori di luce, diodi laser, ecc., che ha un potenziale valore applicativo in dispositivi elettronici ad alta frequenza e ad alta velocità e dispositivi optoelettronici.

 

Campo delle celle solari: può essere applicato allo strato di assorbimento o allo strato tampone delle celle solari a film sottile, ecc. per migliorare l’efficienza di conversione fotoelettrica delle celle solari.

 

Campo ottico: Ha alcune applicazioni in ottica, che possono essere utilizzate per realizzare rivestimenti ottici, filtri ottici e altri dispositivi ottici e possono anche essere utilizzate come sorgente di radiazioni THz di rettifica ottica e materiale di rilevamento.

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