| ID prodotto | Formula | Purity | Dimensione | Quantity | Prezzo in € | Inchiesta |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 305200ST001 | ZnTe | 99.99% | Ø 25.4 mm x 3.175 mm | 1 | POR | Inquire |
| 305200ST002 | ZnTe | 99.99% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | 1 | POR | Inquire |
| 305200ST003 | ZnTe | 99.99% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | 1 | POR | Inquire |
| 305200ST004 | ZnTe | 99.99% | Ø 76.2 mm x 6.35 mm | 1 | POR | Inquire |
| 305200ST005 | ZnTe | 99.99% | Ø 101.6 mm x 3.175 mm | 1 | POR | Inquire |
| 305200ST006 | ZnTe | 99.99% | Ø 152.4 mm x 3.175 mm | 1 | POR | Inquire |
| 305200ST007 | ZnTe | 99.99% | Ø 152.4 mm x 6.35 mm | 1 | POR | Inquire |
Il bersaglio del tellururo di zinco (ZnTe) è un importante bersaglio del materiale semiconduttore.
Informazioni di base:
Formula chimica: ZnTe, composto da due elementi: zinco (Zn) e tellurio (Te).
Aspetto: Di solito appare come un solido cristallino bruno-rossastro.
Densità: La densità teorica è di circa 6,34 g/cm³.
Punto di fusione: 1238,5°C.
Struttura cristallina: struttura cubica della sfalerite, simile ai comuni materiali semiconduttori come il solfuro di zinco, il seleniuro di zinco e così via. Questa struttura cristallina conferisce al tellururo di zinco proprietà elettriche e ottiche uniche.
Metodo di preparazione:
Metodo di metallurgia delle polveri: la polvere di zinco ad alta purezza e la polvere di tellurio vengono miscelate secondo una certa proporzione, dopo la macinazione, l’essiccazione e altri trattamenti, sinterizzate ad alta temperatura e alta pressione per ottenere il bersaglio del tellururo di zinco.
Metodo di fusione sottovuoto: in un ambiente sottovuoto, lo zinco e il tellurio vengono riscaldati al di sopra del punto di fusione, in modo che vengano fusi e completamente miscelati, quindi raffreddati e solidificati per ottenere lingotti di tellururo di zinco, quindi i lingotti vengono trasformati in bersagli.
Campo di applicazione:
Campo dei semiconduttori: il tellururo di zinco è un materiale semiconduttore ad ampia banda proibita con una banda proibita di circa 2,26 eV, che ha un’ampia gamma di applicazioni nei dispositivi a semiconduttore.
Campo di celle solari: può essere utilizzato come materiale dello strato di assorbimento o materiale dello strato tampone delle celle solari a film sottile, che può migliorare l’efficienza di conversione fotoelettrica delle celle solari.
Campo ottico: Grazie alle sue speciali proprietà ottiche, può essere utilizzato per preparare rivestimenti ottici, filtri ottici, rilevatori a infrarossi e altri dispositivi ottici.
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