Solfuro di silicio, la formula molecolare è SiS2. Cristalli fibrosi bianchi rombici o tetragonali. Stabile a temperatura e pressione ambiente, si decompone in SiO2 e H2S se esposto all’umidità. Brucia se riscaldato all’aria.
Formula molecolare: SiS2 Peso molecolare: 92,215 Proprietà: polvere cristallina bianca Densità: 2,02 g/cm3 Punto di fusione: 1090°C Punto di ebollizione: 1130°C
1. Purezza: 4N (99,99%) 5N (99,999%) 2. Confezione: imbottigliata, 1 kg/bottiglia, sottovuoto con film composito di alluminio all’esterno della bottiglia; 3. Attracco tecnico: fusione sottovuoto ad alta temperatura e alta pressione, diffusione termica dopo il trattamento; 4. Applicazione: ricerca scientifica; 5. Metodo di conservazione: sigillato e a prova di luce a temperatura ambiente, luogo ventilato e asciutto
I cristalli di disolfuro di silicio hanno vari tipi strutturali, principalmente i seguenti tre tipi:
I cristalli SiS2 di tipo α sono strutture esagonali più vicine all’impacchettamento con strutture stratificate e la struttura cristallina tridimensionale è mantenuta dalla forza di interazione delle forze di van der Waals tra gli strati. I parametri unitari della cella dei cristalli di disolfuro di silicio di tipo α sono a=3,086 nm, c=5,058 nm e la densità dei cristalli è 2,97 g/cm³.
I cristalli SiS2 di tipo β sono strutture di impacchettamento tetragonali più vicine con strutture stratificate e la distanza di legame S-S tra strati adiacenti è uguale alla lunghezza di legame S-S all’interno dello strato. I parametri unitari della cella del cristallo di disolfuro di silicio di tipo β sono a=b=c=0,382 nm e la densità del cristallo è 2,66 g/cm³.
Il cristallo SiS2 di tipo γ è una struttura cristallina cubica di lungo periodo, con le proprietà dei cristalli SiS2 di tipo α e β, la sua costante reticolare è a=1,2067 nm e la densità del cristallo è 2,18 g/cm³.
Il disolfuro di silicio ha proprietà chimiche relativamente stabili, elevata durezza e non è facilmente influenzato da effetti fisici come l’espansione termica. Pertanto, viene spesso utilizzato per preparare materiali ceramici, catalizzatori, agenti di attrito, ecc. Nell’industria elettronica, è anche ampiamente utilizzato nella produzione di semiconduttori e celle solari.
Disolfuro di germanio (GeS2), monosolfuro di germanio (GeS), (TiS2), CoS2, disolfuro di nichel (NiS2), solfuro di litio (Li2S), ecc.
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