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Chemical Name:
Nitruro di gallio
Formula:
GaN
Product No.:
310700
CAS No.:
25617-97-4
EINECS No.:
247-129-0
Form:
Sputtering Target
HazMat:

MSDS

TDS

ID prodotto Formula Purity Dimensione Quantity Prezzo in € Inchiesta
310700ST001 GaN 99.99% Ø 25.4 mm x 3.175 mm 1 596.00 Inquire
310700ST002 GaN 99.99% Ø 25.4 mm x 6.35 mm 1 644.00 Inquire
310700ST003 GaN 99.99% Ø 50.8 mm x 3.175 mm 1 924.00 Inquire
310700ST004 GaN 99.999% Ø 25.4 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
310700ST005 GaN 99.999% Ø 25.4 mm x 6.35 mm 1 POR Inquire
310700ST006 GaN 99.999% Ø 50.8 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
ID prodotto
310700ST001
Formula
GaN
Purity
99.99%
Dimensione
Ø 25.4 mm x 3.175 mm
Quantity
1
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596.00
ID prodotto
310700ST002
Formula
GaN
Purity
99.99%
Dimensione
Ø 25.4 mm x 6.35 mm
Quantity
1
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644.00
ID prodotto
310700ST003
Formula
GaN
Purity
99.99%
Dimensione
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Quantity
1
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ID prodotto
310700ST004
Formula
GaN
Purity
99.999%
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Ø 25.4 mm x 3.175 mm
Quantity
1
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ID prodotto
310700ST005
Formula
GaN
Purity
99.999%
Dimensione
Ø 25.4 mm x 6.35 mm
Quantity
1
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ID prodotto
310700ST006
Formula
GaN
Purity
99.999%
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Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Quantity
1
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POR

CaratteristicaIl nitruro di gallio (GaN) è un semiconduttore binario a banda proibita diretta III/V comunemente usato nei diodi emettitori di luce dagli anni ‘1990. Il composto è un materiale molto duro che ha una struttura cristallina di wurtzite. La sua ampia banda proibita di 3,4 eV gli conferisce proprietà speciali[clarification needed] per applicazioni in dispositivi optoelettronici,[8][9] ad alta potenza e ad alta frequenza. Formula chimica:GaNMerme molare:83.730 g/molAspetto:polvere giallaDensità:6.1 g/cm3Punto di fusione:1600 °CSolubilità in acqua:InsolubileBand gap:3.4 eV (300 K, diretto)Mobilità elettronica:1500 cm2/(V·s) (300 K)Conducibilità termica:1.3 W/(cm·K) (300 K)Indice di rifrazione (nD):2.429Struttura cristallina:WurtziteApplicazioneLa sua sensibilità alle radiazioni ionizzanti è bassa (come altri nitruri del gruppo III), il che lo rende un materiale adatto per array di celle solari per satelliti. Anche le applicazioni militari e spaziali potrebbero trarne vantaggio poiché i dispositivi hanno mostrato stabilità in ambienti di radiazioni. Poiché i transistor GaN possono funzionare a temperature molto più elevate e lavorare a tensioni molto più elevate rispetto ai transistor all’arseniuro di gallio (GaAs), sono amplificatori di potenza ideali alle frequenze delle microonde. Inoltre, GaN offre caratteristiche promettenti per i dispositivi THz.

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