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Chemical Name:
Carburo di silicio
Formula:
SiC
Product No.:
140600
CAS No.:
409-21-2
EINECS No.:
206-991-8
Form:
Wafer
HazMat:

MSDS

TDS

ID prodotto Formula Purity Dimensione Quantity Prezzo in € Inchiesta
140600WF001 SiC 4H-SiC Ø 100 mm x 500±25um th. 1 POR Inquire
ID prodotto
140600WF001
Formula
SiC
Purity
4H-SiC
Dimensione
Ø 100 mm x 500±25um th.
Quantity
1
Prezzo in €
POR

I wafer di carburo di silicio sono fogli rotondi realizzati in SiC che sembrano simili ai wafer di silicio. È un materiale semiconduttore molto importante con elevata durezza, resistenza al calore, resistenza alle radiazioni, resistenza alla corrosione e alta conduttività. I wafer SiC sono uno dei materiali chiave per la produzione di dispositivi elettronici ad alte prestazioni e possono offrire prestazioni eccellenti in ambienti ad alta temperatura, alto campo elettrico, alta frequenza e alta pressione. VIMATERIAL può fornire wafer di carburo di silicio da 2~6 pollici.

Proprietà dei wafer di carburo di silicio:

I wafer SiC hanno molte eccellenti proprietà fisiche, chimiche ed elettriche, che li rendono ampiamente utilizzati in elettronica, optoelettronica, aerospaziale e altri campi. Le caratteristiche principali dei wafer di carburo di silicio includono: 1. Forte stabilità alle alte temperature: i wafer SiC hanno una conducibilità termica e un’inerzia chimica estremamente elevate, possono mantenere la stabilità in ambienti ad alta temperatura e non sono soggetti a dilatazioni e deformazioni termiche. 2. Elevata resistenza meccanica: i wafer SiC hanno un’elevata rigidità e resistenza e possono resistere a sollecitazioni elevate e carichi pesanti. 3. Eccellenti proprietà elettriche: le proprietà elettriche dei wafer di carburo di silicio sono migliori di quelle dei materiali in silicio, con una maggiore conduttività elettrica e mobilità degli elettroni e possono essere utilizzate per produrre dispositivi semiconduttori ad alta potenza e dispositivi elettronici ad alta frequenza. 4. Eccellenti proprietà ottiche: i wafer SiC hanno una buona trasmissione della luce e una forte resistenza alle radiazioni e possono essere utilizzati per produrre dispositivi optoelettronici e dispositivi solari.

Vantaggi dei wafer di carburo di silicio

I wafer SiC hanno una durezza maggiore e una migliore resistenza alla corrosione rispetto ai wafer di silicio e possono essere utilizzati per applicazioni in ambienti ad alta temperatura, alta pressione e chimicamente dannosi. Inoltre, i wafer di carburo di silicio hanno una migliore conduttività termica e proprietà elettriche e possono comunque mantenere una buona stabilità in ambienti ad alta temperatura.

Applicazione di wafer di carburo di silicio

Poiché i wafer SiC hanno le eccellenti caratteristiche prestazionali sopra menzionate, sono ampiamente utilizzati in elettronica, optoelettronica, aerospaziale e altri campi. Le principali applicazioni includono: 1. Produzione di dispositivi a semiconduttore ad alta potenza: i SiCwafer hanno caratteristiche come l’elevata stabilità termica e l’elevata conduttività elettrica e possono essere utilizzati per produrre dispositivi a semiconduttore ad alta potenza come MOSFET di potenza, diodo Schottky, JFET, ecc. 2. Produzione di dispositivi elettronici ad alta frequenza: i wafer SiC hanno un’elevata mobilità degli elettroni e possono essere utilizzati per produrre dispositivi elettronici ad alta frequenza, come transistor ad alta frequenza, transistor ad alta mobilità elettronica, ecc. 3. Produzione di dispositivi optoelettronici: i wafer SiC hanno una buona trasmissione della luce e possono essere utilizzati per produrre dispositivi optoelettronici, come chip LED, diodi laser, ecc. 4. Produzione di dispositivi solari: i wafer di carburo di silicio hanno una forte resistenza alle radiazioni e possono essere utilizzati per produrre dispositivi solari.

 

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