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Chemical Name:
Arseniuro di zinco
Formula:
Zn3As2
Product No.:
303300
CAS No.:
12006-40-5
EINECS No.:
234-486-2
Form:
Powder
HazMat:
Class 6.1 / UN1557 / PG II

MSDS

ID prodotto Formula Purity Dimensione Quantity Prezzo in € Inchiesta
303300PD001 Zn3As2 99.999% -325 Mesh 100g POR Inquire
ID prodotto
303300PD001
Formula
Zn3As2
Purity
99.999%
Dimensione
-325 Mesh
Quantity
100g
Prezzo in €
POR

L’arseniuro di zinco è un composto inorganico. Ecco alcune informazioni chiave a riguardo:

 

Proprietà fisiche:

 

L’aspetto è polvere bianca o biancastra, solida a temperatura ambiente, con lucentezza metallica.

 

Insolubile in acqua.

 

Utilizzazioni:

 

Materiale semiconduttore: l’arseniuro di zinco è un materiale semiconduttore con applicazioni nell’elettronica. Può essere utilizzato per realizzare fotodiodi, diodi laser, amplificatori ad alta frequenza e altri dispositivi a semiconduttore.

 

Relativo alle celle solari: può essere applicato a pannelli solari e celle solari, ecc.

 

Metodo di preparazione:

 

Prodotto dalla reazione di riscaldamento di zinco e arsenico. Ad esempio, polvere di zinco e polvere di arsenico in un recipiente di quarzo mescolato bene, e quindi posto in un vuoto di serbatoio di reazione in acciaio inossidabile e riempito con gas inerte ad alta purezza, il riscaldamento pressurizzato può essere ottenuto la sua polvere.

 

Il principio dell’applicazione dello ZnAs nel campo dei semiconduttori si riflette principalmente nei seguenti aspetti:

 

Proprietà strutturali della fascia energetica:

 

Presenza di bande di valenza e conduzione.

 

Larghezza di banda proibita adatta: l’arseniuro di zinco ha una larghezza di proibizione relativamente adatta (circa 1,0 eV). Ciò gli consente di consentire agli elettroni di saltare dalla banda di valenza alla banda di conduzione in determinate condizioni.

 

Proprietà del vettore:

 

Gli elettroni e le lacune fungono da trasportatori.

 

Mobilità dei portatori: i portatori in arseniuro di zinco hanno una certa mobilità.

 

Proprietà dopanti:

 

Formazione di semiconduttori di tipo n e di tipo p: le proprietà conduttive di esso possono essere modificate drogando con altri elementi per formare semiconduttori di tipo n e di tipo p. Costruzione di dispositivi a semiconduttore: la combinazione di arseniuro di zinco di tipo n e di tipo p può formare giunzioni p-n.

 

Proprietà optoelettroniche:

 

Assorbimento ed emissione della luce: Ha la capacità di assorbire ed emettere luce a lunghezze d’onda specifiche. Sulla base di questa proprietà, l’arseniuro di zinco può essere utilizzato per realizzare fotodiodi, celle solari e altri dispositivi optoelettronici.

 

Proprietà fototopologiche: Può anche presentare speciali proprietà topologiche in specifiche condizioni di irradiazione luminosa.

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