Il lingotto InAs è un importante materiale semiconduttore.
Struttura: InAs è un composto di indio (In) e arsenico (As) con una struttura cristallina di sfalerite.
Aspetto: Ha una lucentezza metallica grigio-argentea e una superficie relativamente piatta e liscia.
Densità: 5,67 g/cm³.
Durezza: circa 3,5.
Punto di fusione: Il punto di fusione degli InAs è relativamente basso, circa 942°C.
Proprietà elettriche:
InAs è un materiale semiconduttore a banda proibita diretta con una banda proibita intrinseca di circa 0,36 eV a temperatura ambiente.
La mobilità del vettore di InAs è molto elevata, con una mobilità elettronica fino a 33.000 cm²/(V・s), il che significa che gli elettroni vengono trasportati in modo efficiente attraverso i materiali InAs, contribuendo alle prestazioni dei dispositivi elettronici.
Elettronica ad alta velocità: a causa della loro elevata mobilità portante, l’arseniuro di indio può essere utilizzato per realizzare transistor ad alta velocità e circuiti integrati.
Dispositivi elettronici a bassa potenza: le caratteristiche di bassa banda proibita degli InAs lo rendono un’applicazione promettente nel campo dei dispositivi elettronici a bassa potenza.
Rivelatori a infrarossi: Le proprietà ottiche degli InA nella banda dell’infrarosso lo rendono un materiale ideale per i rilevatori a infrarossi.
Diodi a emissione di luce (LED) e diodi laser (LD): l’arseniuro di indio può essere utilizzato come materiale per aree attive per la produzione di diodi a emissione di luce infrarossa e diodi laser. Questi dispositivi optoelettronici hanno importanti applicazioni nei settori della comunicazione ottica, della memorizzazione ottica e dell’illuminazione a infrarossi, ecc. Ad esempio, all’estremità di emissione dell’infrarosso della comunicazione ottica, InAs – LD può fornire segnali luminosi a infrarossi stabili ed efficienti.
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