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Chemical Name:
Arseniuro di gallio
Formula:
GaAs
Product No.:
313300
CAS No.:
1303-00-0
EINECS No.:
215-114-8
Form:
Sputtering Target
HazMat:

MSDS

TDS

ID prodotto Formula Purity Dimensione Quantity Prezzo in € Inchiesta
313300ST001 GaAs 99.999% Ø 50.8 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
313300ST002 GaAs 99.999% Ø 50.8 mm x 6.35 mm 1 POR Inquire
313300ST003 GaAs 99.999% Ø 76.2 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
313300ST004 GaAs 99.999% Ø 76.2 mm x 6.35 mm 1 POR Inquire
ID prodotto
313300ST001
Formula
GaAs
Purity
99.999%
Dimensione
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Prezzo in €
POR
ID prodotto
313300ST002
Formula
GaAs
Purity
99.999%
Dimensione
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Quantity
1
Prezzo in €
POR
ID prodotto
313300ST003
Formula
GaAs
Purity
99.999%
Dimensione
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Prezzo in €
POR
ID prodotto
313300ST004
Formula
GaAs
Purity
99.999%
Dimensione
Ø 76.2 mm x 6.35 mm
Quantity
1
Prezzo in €
POR

A causa di materiali pericolosi, la data di consegna non può essere completamente garantita (eventualmente prorogata). Non esitate a contattarci per i dettagli. CaratteristicaL’arseniuro di gallio (GaAs) è un composto degli elementi gallio e arsenico. È un semiconduttore a banda proibita diretta III-V con una struttura cristallina di zinco blenda. Formula chimica:GaAsMassa molare:144,645 g/molAspetto:Cristalli grigiOdore:simile all’aglio quando inumiditoDensità:5,3176 g/cm3Punto di fusione:1.238 °C (2.260 °F; 1.511 K)Solubilità in acqua:insolubileSolubilità:solubile in HCl insolubile in etanolo, metanolo, acetoneBand gap:1.441 eV (a 300 K)Mobilità elettronica:9000 cm2/(V·s) (a 300 K)Suscettibilità magnetica (χ):-16,2×10−6cgsConducibilità termica:0,56 W/(cm·K) (a 300 K)Indice di rifrazione (nD):3,3Struttura cristallina:Miscela di zincoApplicazioneArseniuro di gallio viene utilizzato nella produzione di dispositivi come circuiti integrati a frequenza di microonde, circuiti integrati monolitici a microonde, diodi a emissione di luce a infrarossi, diodi laser, celle solari e finestre ottiche. Il GaAs è spesso usato come materiale di substrato per la crescita epitassiale di altri semiconduttori III-V, tra cui arseniuro di indio gallio, arseniuro di alluminio gallio e altri.

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