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Chemical Name:
Afnio metallico
Formula:
Hf
Product No.:
7200
CAS No.:
7440-58-6
EINECS No.:
231-166-4
Form:
Powder
HazMat:
Class 4.2 / UN2545 / PG II

MSDS

ID prodotto Formula Purity Dimensione Quantity Prezzo in € Inchiesta
7200PD001 Hf 99% (Zr< 2%) -325 Mesh 50g POR Inquire
7200PD002 Hf 99.5% (Zr< 0.15%) -200 Mesh 5g 96.00 Inquire
7200PD003 Hf 99.9% (Zr< 0.8%) -325 Mesh 50g POR Inquire
ID prodotto
7200PD001
Formula
Hf
Purity
99% (Zr< 2%)
Dimensione
-325 Mesh
Quantity
50g
Prezzo in €
POR
ID prodotto
7200PD002
Formula
Hf
Purity
99.5% (Zr< 0.15%)
Dimensione
-200 Mesh
Quantity
5g
Prezzo in €
96.00
ID prodotto
7200PD003
Formula
Hf
Purity
99.9% (Zr< 0.8%)
Dimensione
-325 Mesh
Quantity
50g
Prezzo in €
POR

La polvere di afnio metallico è un importante materiale in polvere metallica.

Informazioni di base

Informazioni elementari: L’afnio metallico è un elemento chimico con un numero atomico di 72 e si trova nel Gruppo IVB, Periodo 5 della tavola periodica.

Aspetto: di colore grigio-nero.

Densità: 13,31 g/cm³, il che rende le particelle di afnio relativamente pesanti in massa.

Durezza di Mohs: 5,5.

Punto di fusione: 2233°C.

Punto di ebollizione: 4602°C.

Conducibilità termica dell’afnio: circa 23,0 W/(m・K).

Struttura cristallina: L’afnio ha una struttura cristallina esagonale densamente compatta.

Campi di applicazione

Industria nucleare: l’afnio metallico viene utilizzato come barra di controllo nei reattori nucleari. A causa della sua grande sezione d’urto di assorbimento dei neutroni, l’afnio assorbe efficacemente i neutroni, controllando così la velocità delle reazioni nucleari.

Aerospaziale: l’afnio e le sue leghe sono utilizzati nella produzione di componenti ad alta temperatura per motori aerospaziali, come pale e camere di combustione.

Industria elettronica: l’afnio può essere utilizzato per produrre materiali catodici per tubi elettronici, per migliorare le prestazioni di emissione e la durata dei tubi elettronici. Nell’industria dei semiconduttori, i composti di afnio (ad es. ossido di afnio) sono ampiamente utilizzati per realizzare materiali dielettrici di gate con elevate costanti dielettriche, che vengono utilizzati per migliorare le prestazioni e l’integrazione dei circuiti integrati.

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