Siliciure de titane

Siliciure de titane La cible de pulvérisation TiSi2 est une cible composée de titane et de silicium, principalement utilisée dans les semi-conducteurs, les circuits intégrés et d’autres domaines, grâce au processus de pulvérisation pour déposer un film mince TiSi₂ utilisé pour réduire la résistance de contact, améliorer les performances de l’appareil et ainsi de suite à bien des égards.

Nous fournissons des cibles de pulvérisation en siliciure de titane TiSi2, VIMATERIAL peut également fournir un service de liaison de cibles, nos produits sont soumis à la personnalisation et à l’expérimentation, veuillez nous contacter si vous en avez besoin.

Caractéristiques

Formule moléculaire : TiSi₂

Poids moléculaire : 104,04

Apparence : Généralement gris ou noir solide

Densité : environ 4,39 g/cm³.

Point de fusion : environ 1540°C

Structure cristalline : Il a deux structures cristallines, C49 (phase à basse température) et C54 (phase à haute température), la structure C49 est une phase substable, et la structure C54 est une phase thermodynamiquement stable, et elle peut être transformée de la phase C49 à la phase C54 sous un traitement à la température approprié, et la transformation de cette structure cristalline a un effet important sur ses propriétés électriques et autres.

Applications

Les cibles de pulvérisation TiSi2 sont utilisées dans la fabrication de semi-conducteurs pour former une couche de siliciure pendant le processus de métallisation de la puce, ce qui réduit efficacement la résistance de contact entre la source, le drain et le silicium et améliore les performances de la puce.

Circuits intégrés : Dans les circuits intégrés, le film TiSi₂ formé par pulvérisation de la cible peut être utilisé dans le cadre des fils d’interconnexion, ce qui améliore la conductivité du circuit et la vitesse de transmission du signal, et améliore l’intégration et l’efficacité opérationnelle des circuits intégrés.

Champ photovoltaïque : Cible de pulvérisation de siliciure de titane TiSi2 utilisée dans la préparation des matériaux d’électrode pour les cellules photovoltaïques, elle peut améliorer le contact électrique entre l’électrode et le matériau semi-conducteur et améliorer l’efficacité de conversion photoélectrique de la cellule.

Domaine des systèmes microélectromécaniques (MEMS) : Dans la fabrication de dispositifs MEMS, les couches minces pulvérisées TiSi₂ peuvent être utilisées comme matériaux structurels ou conducteurs pour aider à construire des composants mécaniques et électroniques de taille micro et nanométrique, qui prennent en charge la miniaturisation et les hautes performances des dispositifs MEMS.

Contrôle de la qualité

Nos produits sont soumis à un système strict de gestion de la qualité. Il existe des normes d’inspection strictes pour les matériaux entrants, le traitement, l’inspection finale et l’inspection d’usine. Des mesures d’isolement strictes sont prises pour le traitement non qualifié afin d’éviter que les produits non qualifiés ne passent au processus suivant. Des échantillons sont fournis pour une réinspection par le client selon les exigences du client.

Emballage et stockage

Les cibles de pulvérisation en siliciure de titane TiSi2 sont emballées dans des sacs sous vide à double couche, puis emballées dans des cartons à l’extérieur.

Les cibles de pulvérisation du siliciure de titane TiSi₂ doivent être stockées dans un environnement sec, propre et bien ventilé avec une température et une humidité relativement stables, évitant l’humidité, l’oxydation et la collision physique, la pollution, et en même temps être isolées d’autres substances susceptibles d’avoir une réaction chimique, afin d’éviter que ses performances et sa qualité ne soient endommagées.