Siliciure de titane

La cible de pulvérisation en disiliciure de titane
(TiSi₂) est une cible composite constituée de titane et de silicium, principalement utilisée dans les domaines des semi-conducteurs, des circuits intégrés et autres. Elle permet, par le biais du procédé de pulvérisation, de déposer un film mince de TiSi₂ servant à réduire la résistance de contact, à améliorer les performances du dispositif et à répondre à de nombreux autres besoins.

Nous fournissons des cibles de pulvérisation en disiliciure de titane. VIMATERIAL propose également un service de liaison de cibles. Nos produits peuvent être personnalisés et testés ; n’hésitez pas à nous contacter
si vous en avez besoin.

Caractéristiques

Formule moléculaire : TiSi₂

Masse moléculaire : 104,04 g/mol

Aspect : solide généralement gris ou noir

Densité : environ 4,39 g/cm³.

Point de fusion : environ 1 540 °C

Structure cristalline : Il présente deux structures cristallines, C49 (phase à basse température) et C54 (phase à haute température). La structure C49 est une phase instable, tandis que la structure C54 est une phase thermodynamiquement stable. Il est possible de passer de la phase C49 à la phase C54 par un traitement thermique approprié, et cette transformation de la structure cristalline a un effet important sur ses propriétés électriques et autres.

Applications des cibles de pulvérisation en disiliciure de titane

Domaine des semi-conducteurs : les cibles de pulvérisation en disiliciure de titane
sont utilisées dans la fabrication de semi-conducteurs pour former une couche de siliciure lors du processus de métallisation de la puce, ce qui réduit efficacement la résistance de contact entre la source, le drain et le silicium et améliore les performances de la puce.

Circuits intégrés : dans les circuits intégrés, le film de TiSi₂ formé par pulvérisation de la cible peut être utilisé comme partie intégrante des fils d’interconnexion, ce qui améliore la conductivité du circuit et la vitesse de transmission du signal, et renforce l’intégration et l’efficacité opérationnelle des circuits intégrés.

Domaine photovoltaïque : la cible de pulvérisation en disiliciure de titane
est utilisée dans la préparation des matériaux d’électrodes pour les cellules photovoltaïques ; elle permet d’améliorer le contact électrique entre l’électrode et le matériau semi-conducteur et d’augmenter le rendement de conversion photoélectrique de la cellule.

Domaine des systèmes micro-électromécaniques (MEMS) : dans la fabrication de dispositifs MEMS, les films minces de TiSi₂ obtenus par pulvérisation peuvent être utilisés comme matériaux structurels ou conducteurs pour aider à construire des composants mécaniques et électroniques de taille micro et nano, ce qui favorise la miniaturisation et les hautes performances des dispositifs MEMS.

Contrôle qualité

Nos produits
sont soumis à un système de gestion de la qualité rigoureux. Des normes d’inspection rigoureuses s’appliquent aux matières premières, au traitement, à l’inspection finale et à l’inspection en usine. Des mesures d’isolement strictes sont prises pour les traitements non conformes afin d’empêcher que des produits non conformes ne passent à l’étape suivante. Des échantillons sont fournis pour une réinspection par le client selon ses exigences.

Emballage et stockage

Les cibles de pulvérisation en disiliciure de titane TiSi₂ sont emballées dans des sacs sous vide à double couche, puis mises en boîte et conditionnées dans des cartons.

Les cibles de pulvérisation en disiliciure de titane doivent être stockées dans un environnement sec, propre et bien ventilé, à température et humidité relativement stables, à l’abri de l’humidité, de l’oxydation, des chocs physiques et de la pollution, et isolées de toute autre substance susceptible de provoquer une réaction chimique, afin de préserver leurs performances et leur qualité.

Foire aux questions (FAQ)

Q1 : Qu’est-ce que le siliciure de titane ?
R : Le siliciure de titane est un composé formé de titane et de silicium (généralement TiSi₂) largement utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs. Il est apprécié pour sa faible résistivité électrique, sa bonne stabilité thermique et sa forte compatibilité avec le silicium, ce qui le rend idéal pour former des couches conductrices, réduire la résistance de contact et améliorer les performances des circuits intégrés et des dispositifs microélectroniques.

Q2 : À quoi sert la cible de pulvérisation en disiliciure de titane ?
R : Les cibles de pulvérisation en disiliciure de titane TiSi₂ sont principalement utilisées pour déposer des films minces conducteurs dans les dispositifs semi-conducteurs et électroniques, où elles forment des couches de siliciure à faible résistance afin d’améliorer les performances des puces, d’optimiser la conductivité des interconnexions et la vitesse de transmission des signaux dans les circuits intégrés, de renforcer le contact des électrodes dans les cellules photovoltaïques pour un rendement supérieur, et de servir de matériaux conducteurs ou structurels dans les dispositifs MEMS afin de favoriser la miniaturisation et les hautes performances.

Q3 : Quel est le délai de livraison ?
R : En stock : expédition immédiate
Produits standard : généralement 2 à 4 semaines
Produits sur mesure : déterminé en fonction des détails requis
Les exigences particulières peuvent être discutées

Q4 : La cible de pulvérisation en disiliciure de titane peut-elle être personnalisée ?
R : Oui, les cibles de pulvérisation en disiliciure de titane peuvent être entièrement personnalisées pour répondre aux exigences spécifiques de votre application. Nous proposons des solutions sur mesure en termes de niveaux de pureté, de dimensions et de formes afin de s’adapter aux différents procédés de dépôt et équipements. Que vous ayez besoin de disques standard, de cibles rectangulaires ou de géométries spéciales, notre équipe peut les fabriquer selon vos plans techniques et vos spécifications. Cela garantit des performances, une compatibilité et une efficacité optimales pour votre application particulière.