| ID du produit | Formule | Purity | Dimension | Quantity | Prix en € | Enquête |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 140600ST001 | SiC | 99.5% | 299.6mm x 129mm x 5mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST002 | SiC | 99.5% | Ø 25.4mm x 3.175 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST003 | SiC | 99.5% | Ø 25.4mm x 6.35 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST004 | SiC | 99.5% | Ø 50.8mm x 3.175 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST005 | SiC | 99.5% | Ø 50.8mm x 6.35 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST006 | SiC | 99.5% | Ø 76.2mm x 3.175mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST007 | SiC | 99.5% | Ø 76.2mm x 6.35mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST008 | SiC | 99.5% | Ø 101.6mm x 3.175 mm | 1 | 436.00 | Inquire |
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande interdite avec une dureté extrêmement élevée, une stabilité thermique et une excellente conductivité électrique, et est largement utilisé dans de nombreux domaines haut de gamme.
Dureté et résistance à l’usure : Le SiC a une dureté extrêmement élevée, ce qui lui permet de résister à l’impact de particules à haute énergie pendant le processus de préparation du film. Le matériau cible doit avoir une résistance mécanique et une résistance à l’usure suffisantes pour garantir qu’il n’y a pas d’usure excessive ou de fissuration lors d’une utilisation à long terme. Stabilité thermique : Le point de fusion élevé et l’excellente conductivité thermique du SiC lui permettent de bien fonctionner dans des environnements à haute température. Ceci est particulièrement adapté aux applications dans les dispositifs électroniques haute puissance et les couches de films optiques. La taille et la forme du matériau cible doivent s’adapter au coefficient de dilatation à haute température pour assurer la stabilité pendant le processus de préparation et la qualité du film. Conductivité électrique et propriétés optiques : La conductivité électrique du SiC le rend particulièrement utilisé dans le domaine des semi-conducteurs, et ses propriétés transparentes ont également des applications importantes dans les revêtements optiques. Cela nécessite que le matériau cible soit de taille et de morphologie constantes pour assurer l’uniformité des propriétés électriques et optiques du film. La taille et la forme des cibles de pulvérisation en carbure de silicium ont un impact crucial sur les caractéristiques ci-dessus, en particulier dans les exigences spécifiques de taille de cible dans les domaines des dispositifs à semi-conducteurs, de l’électronique haute puissance, des films optiques, etc.
Les tailles et les formes courantes des cibles de pulvérisation en carbure de silicium comprennent des cibles rondes, rectangulaires et carrées. Différentes applications nécessitent des tailles et des formes différentes :
Habituellement, le diamètre des cibles de pulvérisation en carbure de silicium varie de 50 mm à 400 mm, et l’épaisseur varie généralement de 5 mm à 20 mm. La taille standard dépend des spécifications de l’équipement de pulvérisation et des exigences de dépôt.
Cibles circulaires : La forme la plus courante, largement utilisée dans le domaine des semi-conducteurs et des revêtements optiques. Cibles rectangulaires : Utilisées pour des équipements spéciaux ou une production personnalisée, en particulier pour le revêtement de grandes surfaces ou les exigences d’appareils à haute puissance. Cibles carrées : Principalement utilisées pour des expériences spécifiques ou la préparation de films minces à haute efficacité. La taille et la forme de la cible ont un impact significatif sur l’uniformité de la surface de la cible, l’efficacité de la pulvérisation et la qualité du film. Assurer la cohérence de ces normes de taille est la base pour garantir les performances du film et la stabilité de l’équipement.
Fabrication de circuits intégrés : Les cibles en carbure de silicium jouent un rôle clé dans la fabrication de circuits intégrés haute performance. Sa conductivité thermique élevée et sa stabilité chimique font du carbure de silicium un matériau de substrat idéal, ce qui contribue à améliorer les performances et la fiabilité des circuits intégrés. Dispositifs de puissance : Dans les dispositifs électroniques de puissance, l’application de cibles de pulvérisation en carbure de silicium peut améliorer considérablement l’efficacité et la résistance à la température des appareils. Les caractéristiques de large bande interdite du carbure de silicium lui permettent de présenter d’excellentes performances lorsqu’il fonctionne à des températures élevées, des tensions élevées et des fréquences élevées, ce qui est particulièrement important pour la conversion d’énergie, l’automobile et l’aviation. Dispositifs RF : Les cibles de pulvérisation en carbure de silicium jouent également un rôle important dans la fabrication de dispositifs RF. Son excellente mobilité électronique et sa stabilité thermique font du carbure de silicium un matériau idéal pour la fabrication de dispositifs RF haute performance tels que les amplificateurs de puissance RF et les filtres.
Cellules solaires : Les cibles de pulvérisation en carbure de silicium présentent un grand potentiel dans la fabrication de cellules solaires à haut rendement. Il peut non seulement améliorer l’efficacité de conversion des cellules solaires, mais également améliorer la durabilité et la stabilité des cellules dans des environnements extrêmes. Cellules solaires à couche mince : L’application du carbure de silicium a également été étendue à la production de cellules solaires à couche mince. Il peut être utilisé comme couche tampon ou couche de fenêtre pour les cellules solaires à couche mince afin d’améliorer les performances de la cellule globale.
Applications optiques : Les cibles de pulvérisation en carbure de silicium sont largement utilisées dans la fabrication de composants optiques haute performance en raison de leur indice de réfraction élevé et de leur résistance à l’usure. Ces composants sont largement utilisés dans l’aérospatiale, l’armée et les instruments de mesure de haute précision. Militaire et aérospatial : La haute résistance et la résistance aux températures élevées du carbure de silicium le rendent utilisé dans la fabrication de composants structurels résistants aux hautes températures et de systèmes de protection thermique dans les domaines militaire et aérospatial. Matériaux céramiques avancés : La dureté élevée et la résistance à l’usure des cibles de pulvérisation en carbure de silicium les rendent idéales pour la production de matériaux céramiques avancés, qui ont des applications importantes dans les domaines de l’industrie, de l’automobile et de l’énergie. Le diamètre des cibles de pulvérisation en carbure de silicium varie généralement de 50 mm à 400 mm et l’épaisseur de 5 mm à 20 mm. Les tailles standard dépendent des spécifications de l’équipement de pulvérisation et des exigences de dépôt.
VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) utilise un système d’assurance qualité rigoureux pour garantir la fiabilité de la qualité de ses produits. Un contrôle de qualité strict est mis en œuvre tout au long de la chaîne de production et, pour les produits défectueux, nous appliquons strictement le principe de la reprise et du remplacement. Chaque lot n’est libéré qu’après avoir passé des tests de spécification détaillés.
Chaque lot de nos matériaux est testé de manière indépendante et, si nécessaire, nous envoyons des échantillons à des entreprises certifiées pour qu’elles les testent. Nous fournissons ces documents et les certificats d’analyse avec l’envoi pour certifier que nos produits répondent aux normes requises.
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