| ID du produit | Formule | Purity | Dimension | Quantity | Prix en € | Enquête |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 140600ST001 | SiC | 99.5% | 299.6mm x 129mm x 5mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST002 | SiC | 99.5% | Ø 25.4mm x 3.175 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST003 | SiC | 99.5% | Ø 25.4mm x 6.35 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST004 | SiC | 99.5% | Ø 50.8mm x 3.175 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST005 | SiC | 99.5% | Ø 50.8mm x 6.35 mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST006 | SiC | 99.5% | Ø 76.2mm x 3.175mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST007 | SiC | 99.5% | Ø 76.2mm x 6.35mm | 1 | POR | Inquire |
| 140600ST008 | SiC | 99.5% | Ø 101.6mm x 3.175 mm | 1 | 436.00 | Inquire |
Les cibles de pulvérisation en carbure de silicium sont fabriquées à partir d’un semi-conducteur céramique à large bande interdite qui se caractérise par une dureté exceptionnelle, une conductivité thermique élevée, une excellente stabilité thermique et une résistance chimique remarquable. Ces propriétés font du SiC un matériau idéal pour les applications dans les domaines des semi-conducteurs, des revêtements optiques et de l’électronique de forte puissance.
VIMATERIAL propose des cibles en SiC de haute pureté, disponibles en différentes tailles pour répondre à vos besoins. Contactez-nous pour plus d’informations.
Dureté et résistance à l’usure : le carbure de silicium présente une dureté sur l’échelle de Mohs d’environ 9,2 à 9,5, ce qui lui confère une excellente résistance à l’usure et minimise la génération de particules pendant la pulvérisation cathodique, prolongeant ainsi la durée de vie de la cible et améliorant la stabilité du processus.
Stabilité thermique : avec un point de fusion supérieur à 2 700 °C et une conductivité thermique élevée, le carbure de silicium conserve une excellente stabilité dimensionnelle dans des conditions de pulvérisation à haute puissance.
Propriétés électriques et optiques : le carbure de silicium offre d’excellentes performances électriques, associées à une large bande interdite et à une rigidité diélectrique élevée, ce qui le rend adapté aux dispositifs semi-conducteurs, à l’électronique RF et aux films minces optiques.
| Propriété | Valeur |
| Matériau | Carbure de silicium |
| Formule | SiC |
| Pureté | 99,5 % |
| Densité | ≥ 98 % de la valeur théorique |
| Forme | Ronde / Rectangulaire / Sur mesure |
| Épaisseur | 3–20 mm |
| Liaison | Indium / Élastomère / Sur mesure |
| Finition de surface | Meulée / Polie |
| Fabrication | Pressage à chaud / Frittage |
Les cibles de pulvérisation en SiC sont généralement disponibles sous forme de :
Épaisseur :
Des dimensions sur mesure, le collage sur plaque de support et des tolérances d’usinage sont disponibles selon les plans fournis par le client.
Les cibles de pulvérisation en carbure de silicium sont largement utilisées pour :
Q1. Qu’est-ce qu’une cible de pulvérisation en carbure de silicium (SiC) ?
Une cible en carbure de silicium est un matériau de haute pureté utilisé dans le dépôt physique en phase vapeur (PVD) pour déposer des films minces de SiC. Elle est appréciée pour sa grande dureté, son excellente conductivité thermique, sa stabilité chimique et sa large bande interdite, ce qui la rend adaptée aux applications dans les domaines des semi-conducteurs, de l’optique et des hautes températures.
Q2. À quoi servent les cibles de pulvérisation en carbure de silicium ?
Elles sont couramment utilisées pour les dispositifs semi-conducteurs, l’électronique de puissance, les composants RF, les revêtements optiques, les dispositifs MEMS, les revêtements résistants à l’usure et les cellules solaires à couche mince. Elles sont également utilisées dans l’aérospatiale et d’autres applications industrielles à haute température.
Q3. Proposez-vous un service sur mesure ?
Oui.Nous pouvonsfournir des dimensions, des formes et des épaisseurs sur mesure, ainsi que des solutions de collage sur plaque d’appui et des tolérances d’usinage adaptées, en fonction des spécifications de votre système de pulvérisation ou de vos plans techniques.
Q4. Existe-t-il des plaques d’appui collées ?
Oui. Les cibles de pulvérisation en carbure de silicium peuvent être fournies avec des plaques de support collées, à l’aide de matériaux et de procédés de collage adaptés, afin d’améliorer la dissipation thermique, la stabilité mécanique et les performances de pulvérisation.
Q5. Quelles méthodes de dépôt sont compatibles avec les cibles de pulvérisation en SiC ?
Les cibles de pulvérisation en carbure de silicium sont compatibles avec la pulvérisation magnétron en courant continu, la pulvérisation magnétron en radiofréquence et la pulvérisation réactive, en fonction de la conductivité de la cible et des propriétés souhaitées du film.
Q6. Quels facteurs influencent les performances d’une cible de pulvérisation en SiC ?
La pureté, la densité, la taille des grains, le procédé de fabrication, l’état de surface et la qualité du collage de la cible influencent tous la stabilité de la pulvérisation, le taux de dépôt, la génération de particules et l’uniformité du film mince. Les cibles à haute densité et haute pureté offrent généralement une durée de vie plus longue et des performances de revêtement plus constantes.
VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) utilise un système d’assurance qualité rigoureux pour garantir la fiabilité de la qualité de ses produits. Un contrôle de qualité strict est mis en œuvre tout au long de la chaîne de production et, pour les produits défectueux, nous appliquons strictement le principe de la reprise et du remplacement. Chaque lot n’est libéré qu’après avoir passé des tests de spécification détaillés.
Chaque lot de nos matériaux est testé de manière indépendante et, si nécessaire, nous envoyons des échantillons à des entreprises certifiées pour qu’elles les testent. Nous fournissons ces documents et les certificats d’analyse avec l’envoi pour certifier que nos produits répondent aux normes requises.
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