Aluminiumarsenid (AlAs) ist ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial, das zwei Elemente, Aluminium und Arsen, enthält. AlAs-Kristalle haben ein hexagonales System und gehören zur Sphaleritstruktur, und ihre Bandlücke beträgt etwa 1,42 Elektronenvolt. AlAs-Materialien haben eine schlechte elektrische Leitfähigkeit bei Raumtemperatur, aber ihre elektrische Leitfähigkeit ist bei hohen Temperaturen stark verbessert. Darüber hinaus verfügt AlAs über eine ausgezeichnete chemische und thermische Stabilität und kann bei der Herstellung von Geräten in Umgebungen mit hohen Temperaturen eingesetzt werden.
Farbe: orange. Eigenschaften: Kristall Schmelzpunkt (°C): 1740. Dichte (kg/m3): 3760.
Aluminiumarsenid ist zerfließend.
As/H2 + Al —1100 °C→ AlAs Al + As —600 °C→ AlAs Hochreines Aluminiumarsenid kann durch Rekristallisation in einer Argonatmosphäre gewonnen werden.
In der Mikroelektronik:
Als Halbleitermaterial verfügt AlAs über hervorragende Eigenschaften, die es im Bereich der Mikroelektronik weit verbreitet machen. Aluminiumarsenid kann mit anderen Halbleitermaterialien wie Galliumarsenid (GaAs) und Galliumnitrid (GaN) kombiniert werden, um Heteroübergangschips herzustellen, die einen Hochgeschwindigkeitselektronentransport und eine hervorragende Leitfähigkeit aufweisen. Gleichzeitig kann Aluminiumarsenid auch zur Herstellung von hocheffizienten Solarzellen und magnetooptischen Modulatoren und anderen Bauelementen verwendet werden, mit breiten Anwendungsaussichten.
In der Optoelektronik:
Als Halbleitermaterial ist AlAs auch im Bereich der Optoelektronik von großer Bedeutung. AlAs kann hochwertige Quantentopfstrukturen herstellen, die spezielle Quantenzustände aufweisen und zur Herstellung von Geräten wie Infrarotdetektoren und Lasern verwendet werden können. Darüber hinaus wird Aluminiumarsenid auch häufig im Mikrowellenbereich verwendet, z. B. bei der Vorbereitung von Mikrowellengeräten und Mikrowellenantennen.
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