Le particelle In₂S₃ sono un importante materiale semiconduttore con una varietà di proprietà uniche e un’ampia gamma di applicazioni.
Composizione chimica: composto da due elementi, indio (In) e zolfo (S), con la formula chimica In₂S₃. Struttura cristallina: In₂S₃ ha tre strutture cristalline, cubiche, tetragonali e tripartite.
Larghezza di banda: con una larghezza di banda di 2,0 – 2,3 eV, ₃No₃ appartiene ai materiali semiconduttori a larghezza di banda stretta, il che gli conferisce una certa capacità di assorbimento e risposta nella gamma della luce visibile.
Proprietà elettriche: Essendo un materiale semiconduttore n-conduttore, ha un’elevata mobilità degli elettroni, che è importante per il trasporto di elettroni e le relative applicazioni di dispositivi elettronici.
Fotocatalisi: le particelle di solfuro di indio hanno una certa capacità di assorbimento della luce sotto la luce visibile e sono in grado di generare coppie elettrone-cavità, che possono essere utilizzate per la degradazione fotocatalitica di inquinanti organici, la decomposizione dell’acqua per produrre idrogeno e così via.
Campo delle celle solari: grazie alla sua adeguata larghezza di banda vietata e alle migliori proprietà elettriche, le particelle di solfuro di indio possono essere utilizzate come strato assorbente o materiale dello strato tampone delle celle solari per migliorare l’efficienza di conversione fotoelettrica delle celle solari.
Campo del sensore: le particelle In₂S₃ sono sensibili al gas, all’umidità e ad altri fattori nell’ambiente e possono essere utilizzate per preparare sensori di gas, sensori di umidità e così via.
Campo dei dispositivi elettronici: ad esempio, nei diodi emettitori di luce a punti quantici, le particelle In₂S₃ possono essere utilizzate come materiali per strati di trasporto di elettroni per migliorare le prestazioni di trasporto degli elettroni e l’efficienza luminosa del dispositivo.
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