El arseniuro de aluminio (AlAs) es un material semiconductor compuesto III-V que contiene dos elementos, aluminio y arsénico. Los cristales de AlAs tienen un sistema hexagonal y pertenecen a la estructura de esfalerita, y su banda prohibida es de aproximadamente 1,42 electronvoltios. Los materiales AlAs tienen una conductividad eléctrica deficiente a temperatura ambiente, pero su conductividad eléctrica mejora considerablemente a altas temperaturas. Además, el AlAs tiene una excelente estabilidad química y térmica y se puede utilizar en la fabricación de dispositivos en entornos de alta temperatura.
Color: naranja. Propiedades: cristal Punto de fusión (°C): 1740. Densidad (kg/m3): 3760.
El arseniuro de aluminio es delicuescente.
As/H2 + Al —1100 °C→ AlAs Al + As —600 °C→ AlAs El arseniuro de aluminio de alta pureza se puede obtener por recristalización en una atmósfera de argón.
En microelectrónica:
Como material semiconductor, el AlAs tiene excelentes propiedades que lo hacen ampliamente utilizado en el campo de la microelectrónica. El arseniuro de aluminio se puede combinar con otros materiales semiconductores como el arseniuro de galio (GaAs) y el nitruro de galio (GaN) para preparar chips de heterounión, que tienen transporte de electrones a alta velocidad y excelente conductividad. Al mismo tiempo, el arseniuro de aluminio también se puede utilizar para preparar células solares de alta eficiencia y moduladores magnetoópticos y otros dispositivos, con amplias perspectivas de aplicación.
En optoelectrónica:
Como material semiconductor, el AlAs también es muy importante en el campo de la optoelectrónica. El AlAs puede preparar estructuras de pozos cuánticos de alta calidad, que tienen estados cuánticos especiales y se pueden utilizar para preparar dispositivos como detectores infrarrojos y láseres. Además, el arseniuro de aluminio también se usa ampliamente en el campo de las microondas, como la preparación de dispositivos de microondas y antenas de microondas.
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