Kataloge

Chemical Name:
Zinn-Selenid
Formula:
SnSe
Product No.:
503400
CAS No.:
1315-06-6
EINECS No.:
215-257-6
Form:
Sputtering Target
HazMat:

MSDS

TDS

Produkt-ID Formel Purity Dimension Quantity Preis in € Anfrage
503400ST001 SnSe 99.99% Ø 50.8 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
503400ST002 SnSe 99.99% Ø 50.8 mm x 6.35 mm 1 POR Inquire
503400ST003 SnSe 99.99% Ø 76.2 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
503400ST004 SnSe 99.99% Ø 101.6 mm x 6.35 mm 1 POR Inquire
Produkt-ID
503400ST001
Formel
SnSe
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Preis in €
POR
Produkt-ID
503400ST002
Formel
SnSe
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Quantity
1
Preis in €
POR
Produkt-ID
503400ST003
Formel
SnSe
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Preis in €
POR
Produkt-ID
503400ST004
Formel
SnSe
Purity
99.99%
Dimension
Ø 101.6 mm x 6.35 mm
Quantity
1
Preis in €
POR

SnSe-Targets sind ein wichtiges Material für Prozesse wie die Dünnschichtabscheidung.

Grundlegende Informationen

Chemische Formel und Zusammensetzung: Die chemische Formel von SnSe gibt an, dass es aus Zinn (Sn) und Selen (Se) in einem Atomverhältnis von 1:1 besteht.
Molekulargewicht: 197,67.
Aussehen: In der Regel grau-schwarz oder schwarz.
Kristallstruktur: Es hat eine orthorhombische Kristallstruktur.
Dichte: Die Dichte beträgt ca. 6,14 g/cm³.
Schmelzpunkt: Der Schmelzpunkt liegt bei ca. 861°C. In der Nähe des Schmelzpunkts ändern sich die Kristallstruktur und die physikalischen Eigenschaften von SnSe erheblich.
Wärmeleitfähigkeit: Die geringe Wärmeleitfähigkeit von SnSe-Pulvern ist ein entscheidender Vorteil für thermoelektrische Anwendungen.

Anwendungsbereiche

Halbleiterfeld: Zinn-selenid Kann zur Vorbereitung von Halbleiterbauelementen wie Feldeffekttransistoren, Photodetektoren usw. verwendet werden.

Solarzellen: Als Absorberschicht von Solarzellen hat Zinn-selenid einen hohen Lichtabsorptionskoeffizienten und eine geeignete Bandlücke, die Sonnenlicht effektiv absorbieren und in Strom umwandeln kann.

Phasenwechsel-Speicherfeld: SnSe kann unter bestimmten Temperatur- und Druckbedingungen einen Phasenwechsel durchlaufen, und seine Phasenwechseleigenschaften machen es potenziell wertvoll für das Phasenwechsel-Speicherfeld. Die durch Sputtern von SnSe-Targets hergestellte Übergitter-Dünnschichtstruktur kann für die Herstellung von Phasenwechselspeichern verwendet werden.

Empfohlenes Produkt

QUALITÄTSSICHERUNG

Die VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) wendet ein strenges Qualitätssicherungssystem an, um die Zuverlässigkeit unserer Produktqualität zu gewährleisten. In der gesamten Produktionskette werden strenge Qualitätskontrollen durchgeführt, und bei fehlerhaften Produkten setzen wir das Prinzip der Nachbesserung streng durch. Jede Charge wird erst dann freigegeben, wenn sie detaillierte Spezifikationstests bestanden hat.

Jede Charge unserer Materialien wird von unabhängiger Seite getestet, und falls erforderlich, senden wir Proben an zertifizierte Unternehmen zur Prüfung. Wir liefern diese Dokumente und Analysezertifikate zusammen mit der Lieferung, um zu bestätigen, dass unsere Produkte die erforderlichen Standards erfüllen.

Benötigen Sie weitere Hilfe?

Wenden Sie sich noch heute an unser Expertenteam und lassen Sie sich von uns bei Ihrem Geschäft helfen!

Kontaktieren Sie uns

Contact Us

Kontaktieren Sie uns

Kontaktieren Sie uns