Siliziumkarbid-Wafer sind runde Bleche aus SiC, die Siliziumwafern ähneln. Es ist ein sehr wichtiges Halbleitermaterial mit hoher Härte, Hitzebeständigkeit, Strahlungsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und hoher Leitfähigkeit. SiC-Wafer sind eines der Schlüsselmaterialien für die Herstellung von elektronischen Hochleistungsgeräten und können in Umgebungen mit hohen Temperaturen, hohen elektrischen Feldern, hohen Frequenzen und hohem Druck eine hervorragende Leistung erbringen. VIMATERIAL kann 2 ~ 6 Zoll Siliziumkarbid-Wafer liefern.
SiC-Wafer haben viele hervorragende physikalische, chemische und elektrische Eigenschaften, wodurch sie in der Elektronik, Optoelektronik, Luft- und Raumfahrt und anderen Bereichen weit verbreitet sind. Zu den Hauptmerkmalen von Siliziumkarbid-Wafern gehören: 1. Starke Hochtemperaturstabilität: SiC-Wafer haben eine extrem hohe Wärmeleitfähigkeit und chemische Inertheit, können die Stabilität in Umgebungen mit hohen Temperaturen aufrechterhalten und sind nicht anfällig für Wärmeausdehnung und Verformung. 2. Hohe mechanische Festigkeit: SiC-Wafer haben eine hohe Steifigkeit und Festigkeit und können hohen Belastungen und hohen Lasten standhalten. 3. Ausgezeichnete elektrische Eigenschaften: Die elektrischen Eigenschaften von Siliziumkarbid-Wafern sind besser als die von Siliziummaterialien, mit höherer elektrischer Leitfähigkeit und Elektronenbeweglichkeit und können zur Herstellung von Hochleistungshalbleiterbauelementen und elektronischen Hochfrequenzgeräten verwendet werden. 4. Ausgezeichnete optische Eigenschaften: SiC-Wafer haben eine gute Lichtdurchlässigkeit und eine starke Strahlungsbeständigkeit und können zur Herstellung von optoelektronischen Geräten und Solargeräten verwendet werden.
SiC-Wafer haben eine höhere Härte und eine bessere Korrosionsbeständigkeit als Siliziumwafer und können für Anwendungen in Umgebungen mit hohen Temperaturen, hohem Druck und chemisch schädlichen Umgebungen eingesetzt werden. Darüber hinaus weisen Siliziumkarbid-Wafer eine bessere Wärmeleitfähigkeit und bessere elektrische Eigenschaften auf und können auch in Hochtemperaturumgebungen eine gute Stabilität beibehalten.
Da SiC-Wafer die oben genannten hervorragenden Leistungsmerkmale aufweisen, werden sie häufig in der Elektronik, Optoelektronik, Luft- und Raumfahrt und anderen Bereichen eingesetzt. Zu den Hauptanwendungen gehören: 1. Herstellung von Hochleistungs-Halbleiterbauelementen: SiCwafer weisen Eigenschaften wie hohe thermische Stabilität und hohe elektrische Leitfähigkeit auf und können zur Herstellung von Hochleistungs-Halbleiterbauelementen wie Leistungs-MOSFETs, Schottky-Dioden, JFETs usw. verwendet werden. Herstellung von elektronischen Hochfrequenzbauelementen: SiC-Wafer weisen eine hohe Elektronenbeweglichkeit auf und können zur Herstellung von hochfrequenten elektronischen Bauelementen wie Hochfrequenztransistoren, Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit usw. verwendet werden. Herstellung optoelektronischer Bauelemente: SiC-Wafer haben eine gute Lichtdurchlässigkeit und können zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente wie LED-Chips, Laserdioden usw. verwendet werden. 4. Herstellung von Solargeräten: Siliziumkarbid-Wafer weisen eine hohe Strahlungsbeständigkeit auf und können zur Herstellung von Solargeräten verwendet werden.
Die VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) wendet ein strenges Qualitätssicherungssystem an, um die Zuverlässigkeit unserer Produktqualität zu gewährleisten. In der gesamten Produktionskette werden strenge Qualitätskontrollen durchgeführt, und bei fehlerhaften Produkten setzen wir das Prinzip der Nachbesserung streng durch. Jede Charge wird erst dann freigegeben, wenn sie detaillierte Spezifikationstests bestanden hat.
Jede Charge unserer Materialien wird von unabhängiger Seite getestet, und falls erforderlich, senden wir Proben an zertifizierte Unternehmen zur Prüfung. Wir liefern diese Dokumente und Analysezertifikate zusammen mit der Lieferung, um zu bestätigen, dass unsere Produkte die erforderlichen Standards erfüllen.
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