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Chemical Name:
Silizium-Germanium-Legierung
Formula:
SiGe
Product No.:
143200
CAS No.:
EINECS No.:
Form:
Powder
HazMat:

MSDS

TDS

Produkt-ID Formel Purity Dimension Quantity Preis in € Anfrage
143200PD001 SiGe 99.999% -100 Mesh 50g 865.00 Inquire
143200PD002 SiGe 99.999% -100 Mesh 50g 865.00 Inquire
Produkt-ID
143200PD001
Formel
SiGe
Purity
99.999%
Dimension
-100 Mesh
Quantity
50g
Preis in €
865.00
Produkt-ID
143200PD002
Formel
SiGe
Purity
99.999%
Dimension
-100 Mesh
Quantity
50g
Preis in €
865.00

Die Silizium-Germanium-Legierung ist eine neuartige Art von Halbleitermaterial, das aus zwei Materialien, Silizium und Germanium, besteht, die in einem bestimmten Verhältnis gemischt sind. Die Silizium-Germanium-Legierung hat eine höhere Leitfähigkeit, einen geringeren spezifischen Widerstand und eine höhere Ladungsträgerbeweglichkeit als reines Silizium. Diese einzigartigen physikalischen Eigenschaften machen die Silizium-Germanium-Legierung in der modernen Halbleiterindustrie weit verbreitet.

Eigenschaften:

Bandgap-Technik:

Durch die Änderung des Verhältnisses von Silizium zu Germanium kann die Bandlücke der Legierung angepasst werden, um sie für eine Reihe von elektronischen und optoelektronischen Anwendungen geeignet zu machen. Die Bandlücke von Si beträgt 1,12 eV und die von Ge 0,66 eV.

Gitter-Matching:

Si-Ge kann mit minimaler Belastung auf Siliziumwafern gezüchtet werden und ist damit kompatibel zu bestehenden siliziumbasierten Technologien.

Thermische und elektrische Leitfähigkeit:

Abhängig vom Ge-Gehalt bietet es bessere thermische und elektrische Eigenschaften als reines Silizium.

Mobilität von Spediteuren:

Im Vergleich zu reinem Silizium weist Si-Ge eine höhere Loch- und Elektronenbeweglichkeit auf, was die Leistung des Bauelements verbessert.

Anwendung von Silizium-Germanium im Halbleiterbereich:

1. Hochleistungstransistoren: Transistoren aus Silizium-Germanium-Legierungen können aufgrund ihrer höheren Elektronenbeweglichkeit schnellere Schaltgeschwindigkeiten bei niedrigeren Betriebsspannungen erreichen, was für die Verbesserung der Leistung integrierter Schaltkreise und die Reduzierung des Stromverbrauchs von großer Bedeutung ist. Daher werden Silizium-Germanium-Transistoren häufig in Hochgeschwindigkeitsprozessoren, im Hochleistungsrechnen und in anderen Bereichen eingesetzt. 2. Optoelektronische Bauelemente: Silizium-Germanium-Legierungsmaterialien haben gute Lichtabsorptions- und Emissionseigenschaften im Infrarotspektrum und sind damit ideale Materialien für die Herstellung von Infrarotdetektoren und Leuchtdioden. Diese optoelektronischen Geräte spielen eine wichtige Rolle in der Kommunikation, bei Nachtsichtgeräten, bei der Wärmebildgebung und in anderen Aspekten. 3. Thermoelektrische Geräte: Silizium-Germanium-Legierungsmaterialien haben auch gute thermoelektrische Eigenschaften, dh sie können Wärmeenergie direkt in elektrische Energie umwandeln. Diese Eigenschaft macht Silizium-Germanium zu einem potenziellen Anwendungswert in der thermoelektrischen Stromerzeugung, Temperaturmessung und anderen Bereichen.

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QUALITÄTSSICHERUNG

Die VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) wendet ein strenges Qualitätssicherungssystem an, um die Zuverlässigkeit unserer Produktqualität zu gewährleisten. In der gesamten Produktionskette werden strenge Qualitätskontrollen durchgeführt, und bei fehlerhaften Produkten setzen wir das Prinzip der Nachbesserung streng durch. Jede Charge wird erst dann freigegeben, wenn sie detaillierte Spezifikationstests bestanden hat.

Jede Charge unserer Materialien wird von unabhängiger Seite getestet, und falls erforderlich, senden wir Proben an zertifizierte Unternehmen zur Prüfung. Wir liefern diese Dokumente und Analysezertifikate zusammen mit der Lieferung, um zu bestätigen, dass unsere Produkte die erforderlichen Standards erfüllen.

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