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Chemical Name:
Magnesium Tellurid
Formula:
MgTe
Product No.:
1252000
CAS No.:
12032-44-9
EINECS No.:
234-773-2
Form:
Granules
HazMat:

MSDS

TDS

Produkt-ID Formel Purity Dimension Quantity Preis in € Anfrage
1252000GN001 MgTe 99.9% 1 mm - 6 mm 100g POR Inquire
1252000GN002 MgTe 99.9% 3 mm - 6 mm 100g POR Inquire
Produkt-ID
1252000GN001
Formel
MgTe
Purity
99.9%
Dimension
1 mm - 6 mm
Quantity
100g
Preis in €
POR
Produkt-ID
1252000GN002
Formel
MgTe
Purity
99.9%
Dimension
3 mm - 6 mm
Quantity
100g
Preis in €
POR

Magnesiumtellurid (MgTe) ist eine anorganische Verbindung, die aus Magnesium und Tellur besteht. Es handelt sich um eine binäre Verbindung, die häufig wegen ihrer interessanten elektronischen und optischen Eigenschaften erforscht wird, insbesondere in der Forschung an Halbleitern, Infrarot-Optoelektronik und photovoltaischen Bauelementen. Als Mitglied der II-VI-Gruppe von Halbleitermaterialien weist MgTe strukturelle Ähnlichkeiten mit anderen Telluridverbindungen auf und ist ein Schwerpunkt in der Materialwissenschaft für verschiedene High-Tech-Anwendungen.

Eigenschaften von Magnesium Tellurid

Chemische Formel: MgTe Kristallstruktur: Bildet sich typischerweise in einer (kubischen) Steinsalzstruktur, ähnlich wie andere binäre Telluride, kann aber je nach Synthesebedingungen Variationen aufweisen. Bandlücke: MgTe ist ein Halbleiter mit einer breiten Bandlücke, typischerweise um 2,8–3,2 eV, wodurch er für optoelektronische und photovoltaische Anwendungen im ultravioletten bis sichtbaren Bereich geeignet ist. Thermische Stabilität: MgTe hat im Vergleich zu anderen Telluride eine relativ gute thermische Stabilität und eignet sich daher für Anwendungen, die eine stabile Halbleiterleistung erfordern. Elektrische Leitfähigkeit: Als Halbleiter hängen die elektrischen Eigenschaften von MgTe von Faktoren wie Dotierung, Synthesemethode und Temperatur ab und können auf bestimmte leitfähige Eigenschaften zugeschnitten werden.

Anwendungen von Magnesiumtellurid

Optoelektronik: Aufgrund seiner großen Bandlücke kann MgTe in optoelektronischen Bauelementen wie Photodetektoren und Leuchtdioden (LEDs) eingesetzt werden, die im ultravioletten und sichtbaren Bereich arbeiten. Durch seine Transparenz im sichtbaren Spektrum eignet sich das Material auch für Display- und Sensortechnologien. Photovoltaik: Magnesiumtellurid wird aufgrund seiner Halbleitereigenschaften und seiner Kompatibilität mit anderen II-VI-Halbleitermaterialien, wie z. B. CdTe, als potenzielles Material für Photovoltaikzellen untersucht. Es kann als Puffer- oder Fensterschicht in bestimmten Arten von Solarzellen fungieren. Infrarot- und Terahertz-Anwendungen: Die halbleitenden und optoelektronischen Eigenschaften von MgTe machen es nützlich für Infrarotdetektoren und Terahertz-Bauelemente, die in Bildgebungs- und Kommunikationstechnologien von entscheidender Bedeutung sind. Thermoelektrische Materialien: Obwohl Magnesiumtellurid in der thermoelektrischen Forschung weniger verbreitet ist als andere Telluride, zeigt es Potenzial als thermoelektrisches Material für die Umwandlung von Abwärme in Elektrizität, insbesondere wenn es dotiert oder mit anderen Elementen legiert wird, um den Wirkungsgrad zu verbessern.

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