In₂S₃-Partikel sind ein wichtiges Halbleitermaterial mit einer Vielzahl einzigartiger Eigenschaften und einem breiten Anwendungsspektrum.
Chemische Zusammensetzung: bestehend aus zwei Elementen, Indium (In) und Schwefel (S), mit der chemischen Formel In₂S₃.
Kristallstruktur: In₂S₃ hat drei Kristallstrukturen, die kubisch, tetragonal und dreiteilig sind. Bandbreite: Mit einer Bandbreite von 2,0 – 2,3 eV gehört ₃No₃ zu den Halbleitermaterialien mit schmaler Bandbreite, was ihm eine gewisse Absorptions- und Reaktionsfähigkeit im sichtbaren Lichtbereich verleiht.
Elektrische Eigenschaften: Als n-leitendes Halbleitermaterial weist es eine hohe Elektronenbeweglichkeit auf, was für den Elektronentransport und verwandte Anwendungen elektronischer Bauelemente wichtig ist.
Photokatalyse: Indiumsulfid-Partikel haben eine gewisse Lichtabsorptionskapazität unter sichtbarem Licht und sind in der Lage, Elektronen-Hohlraum-Paare zu erzeugen, die für den photokatalytischen Abbau organischer Schadstoffe, die Zersetzung von Wasser zur Herstellung von Wasserstoff und so weiter verwendet werden können.
Solarzellenfeld: Aufgrund seiner geeigneten verbotenen Bandbreite und besseren elektrischen Eigenschaften können Indiumsulfidpartikel als Absorberschicht oder Pufferschichtmaterial von Solarzellen verwendet werden, um den photoelektrischen Umwandlungswirkungsgrad von Solarzellen zu verbessern.
Sensorfeld: In₂S₃-Partikel sind empfindlich gegenüber Gas, Feuchtigkeit und anderen Faktoren in der Umgebung und können zur Herstellung von Gassensoren, Feuchtigkeitssensoren usw. verwendet werden.
Feld für elektronische Bauelemente: In Quantenpunkt-Leuchtdioden können In₂S₃-Partikel beispielsweise als Elektronentransportschichtmaterialien verwendet werden, um die Elektronentransportleistung und die Lichtausbeute des Geräts zu verbessern.
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