Produkt-ID | Formel | Purity | Dimension | Quantity | Preis in € | Anfrage |
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321600ST001 | GeS | 99.999% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | 1 | 462.00 | Inquire |
321600ST002 | GeS | 99.999% | Ø 76.2 mm x 6.35 mm | 1 | POR | Inquire |
321600ST003 | GeS | 99.999% | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | 1 | POR | Inquire |
Das GeS-Target ist ein wichtiges Material, das bei der Dünnschichtabscheidung und anderen Prozessen verwendet wird.
Grundlegende Informationen:
Chemische Zusammensetzung: Besteht hauptsächlich aus Germanium (Ge) und Schwefel (S), zwei Elementen.
Aussehensmerkmale: Normalerweise feste runde oder quadratische Flocken, Farbe kann je nach Reinheit und spezifischer Zusammensetzung variieren, z. B. kann grau, schwarz usw. erscheinen.
Schmelzpunkt: Einen hohen Schmelzpunkt haben
Kristallstruktur: Hat eine spezifische Kristallstruktur, die seine physikalischen und chemischen Eigenschaften bestimmt und einen wichtigen Einfluss auf das Wachstum und die Leistung der Schicht beim Sputtern hat.
Stabilität: Relativ stabil bei Raumtemperatur, aber chemische Reaktionen können bei hohen Temperaturen, feuchter Luft oder bestimmten chemischen Umgebungen auftreten. Zum Beispiel kann es oxidieren, wenn es an der Luft erhitzt wird.
Reaktivität: Es kann mit einigen starken Oxidationsmitteln, Reduktionsmitteln oder bestimmten chemischen Substanzen reagieren, aber seine chemischen Eigenschaften sind relativ stabil und es ist nicht einfach, mit herkömmlichen chemischen Substanzen heftig zu reagieren.
Zubereitungsmethode:
Pulvermetallurgisches Verfahren: das hochreine Germaniumpulver und Schwefelpulver in Übereinstimmung mit einem bestimmten Anteil an Mischen, Mahlen, Pressen und anderen Prozessen zur Herstellung von Knüppeln und anschließendes Sintern unter hohen Temperatur- und Hochdruckbedingungen, um ein Sulfid-Germanium-Ziel zu erhalten. Mit dieser Methode kann das Zielmaterial mit gleichmäßiger Zusammensetzung und hoher Dichte hergestellt werden.
Chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren: Verwendung von Germaniumverbindungen und Schwefelverbindungen als Vorläufer unter bestimmten Temperatur- und Atmosphärenbedingungen durch chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren, um auf dem Substrat des Germaniumsulfidfilms zu wachsen, und dann wird der Film vom Substrat abgezogen, um Germaniumsulfid-Zielmaterial herzustellen.
Anwendungsbereich:
Halbleiterindustrie: Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen können GeS-Targets verwendet werden, um dünne Schichten herzustellen, diese Schichten können als Funktionsschicht von Halbleiterbauelementen wie Solarzellen, Photodetektoren und anderen Geräten verwendet werden, GeS-Filme können eine Rolle bei der Absorption von Licht, der Umwandlung von Energie und so weiter spielen.
Optisches Feld: Da Germaniumsulfid bestimmte optische Eigenschaften hat, kann es zur Herstellung optischer Filme verwendet werden, z. B. in infrarotoptischen Geräten, Germaniumsulfidfilme können als Antireflexfilme, reflektierende Filme usw. verwendet werden, um die Leistung optischer Geräte zu verbessern.
Materialwissenschaftliche Forschung: Als neuartiges Material findet das Germaniumsulfid-Target auch in der materialwissenschaftlichen Forschung Beachtung und wird von Forschern genutzt, um die physikalischen und chemischen Eigenschaften neuer Materialien zu erforschen und neue Anwendungsgebiete zu erschließen.
Die VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) wendet ein strenges Qualitätssicherungssystem an, um die Zuverlässigkeit unserer Produktqualität zu gewährleisten. In der gesamten Produktionskette werden strenge Qualitätskontrollen durchgeführt, und bei fehlerhaften Produkten setzen wir das Prinzip der Nachbesserung streng durch. Jede Charge wird erst dann freigegeben, wenn sie detaillierte Spezifikationstests bestanden hat.
Jede Charge unserer Materialien wird von unabhängiger Seite getestet, und falls erforderlich, senden wir Proben an zertifizierte Unternehmen zur Prüfung. Wir liefern diese Dokumente und Analysezertifikate zusammen mit der Lieferung, um zu bestätigen, dass unsere Produkte die erforderlichen Standards erfüllen.
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