CaractéristiqueLe phosphure de gallium (GaP), un phosphure de gallium, est un matériau semi-conducteur composé avec une bande interdite indirecte de 2,24 eV à température ambiante. Le matériau polycristallin impur a l’apparence de morceaux orange pâle ou grisâtres. Les monocristaux non dopés sont orange, mais les plaquettes fortement dopées apparaissent plus foncées en raison de l’absorption par les porteurs libres. Il est inodore et insoluble dans l’eau. Formule chimique :GaPMMomasse oléaire :100.697 g/molApparence :orange pâle solideOdeur :inodoreDensité :4,138 g/cm3Point de fusion :1 457 °C (2 655 °F ; 1 730 K)Solubilité dans l’eau :insolubleÉcart de bande :2,24 eV (indirect, 300 K)Mobilité électronique :300 cm2/(V·s) (300 K)Susceptibilité magnétique (χ) :-13,8×10−6 cgsConductivité thermique :0,752 W/(cm·K) (300 K)Indice de réfraction (nD) :2,964 (10 μm), 3,209 (775 nm), 3,590 (500 nm), 5,05 (354 nm)Structure cristalline :Mélange de zincApplicationLe soufre ou le tellure sont utilisés comme dopants pour Produire des semi-conducteurs de type N. Le zinc est utilisé comme dopant pour le semi-conducteur de type p.
VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) utilise un système d’assurance qualité rigoureux pour garantir la fiabilité de la qualité de ses produits. Un contrôle de qualité strict est mis en œuvre tout au long de la chaîne de production et, pour les produits défectueux, nous appliquons strictement le principe de la reprise et du remplacement. Chaque lot n’est libéré qu’après avoir passé des tests de spécification détaillés.
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