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Chemical Name:
Oxyde d’étain et de baryum
Formula:
BaSnO3
Product No.:
565000
CAS No.:
12009-18-6
EINECS No.:
234-545-2
Form:
Sputtering Target
HazMat:
Class 6.1 / UN1564 / PG II

MSDS

TDS

ID du produit Formule Purity Dimension Quantity Prix en € Enquête
565000ST001 BaSnO3 99.9% Ø 25.4 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
565000ST002 BaSnO3 99.9% Ø 50.8 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
565000ST003 BaSnO3 99.9% Ø 76.2 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
565000ST004 BaSnO3 99.9% Ø 76.2 mm x 6.35 mm 1 POR Inquire
ID du produit
565000ST001
Formule
BaSnO3
Purity
99.9%
Dimension
Ø 25.4 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Prix en €
POR
ID du produit
565000ST002
Formule
BaSnO3
Purity
99.9%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Prix en €
POR
ID du produit
565000ST003
Formule
BaSnO3
Purity
99.9%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Prix en €
POR
ID du produit
565000ST004
Formule
BaSnO3
Purity
99.9%
Dimension
Ø 76.2 mm x 6.35 mm
Quantity
1
Prix en €
POR

La cible BaSnO₃ est une cible importante de matériau inorganique.

Informations de base :

Formule chimique : BaSnO₃, composé de trois éléments : le baryum (Ba), l’étain (Sn) et l’oxygène (O).

Poids moléculaire : 304,03.

Apparence : cible solide généralement blanche.

Densité : environ 7,6 g/cm³.

Structure cristalline : Il a une structure cristalline de type chalcogénure. Cette structure cristalline est caractérisée par des unités structurales octaédriques reliées par des sommets co-angles, ce qui apporte des propriétés physiques et chimiques uniques au BaSnO₃.

Haute conductivité : Il s’agit d’un matériau semi-conducteur à large bande interdite avec une conductivité élevée à température ambiante, ce qui le rend précieux pour les applications dans la technologie des semi-conducteurs et la fabrication de dispositifs électroniques.

Domaines d’application :

Champ des semi-conducteurs : Oxyde d’étain et de baryum peut être utilisé pour préparer des dispositifs à semi-conducteurs tels que des transistors à couche mince et des transistors à effet de champ. Grâce à sa conductivité élevée et à ses bonnes propriétés de semi-conducteur, les performances et la stabilité du dispositif peuvent être améliorées.

Champ optique : En raison de ses bonnes propriétés optiques, Oxyde d’étain et de baryum peut être utilisé pour préparer des dispositifs optiques, tels que des films conducteurs transparents, des lasers et des photodétecteurs.

Champ de condensateur : En raison de sa constante diélectrique élevée, il peut être utilisé pour préparer des matériaux d’électrode ou des matériaux diélectriques pour les condensateurs. Dans les condensateurs, le BaSnO₃ peut améliorer la densité de stockage d’énergie du condensateur et la vitesse de charge/décharge, afin de répondre à la demande de condensateurs haute performance dans les appareils électroniques.

Produit recommandé

ASSURANCE QUALITÉ

VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) utilise un système d’assurance qualité rigoureux pour garantir la fiabilité de la qualité de ses produits. Un contrôle de qualité strict est mis en œuvre tout au long de la chaîne de production et, pour les produits défectueux, nous appliquons strictement le principe de la reprise et du remplacement. Chaque lot n’est libéré qu’après avoir passé des tests de spécification détaillés.

Chaque lot de nos matériaux est testé de manière indépendante et, si nécessaire, nous envoyons des échantillons à des entreprises certifiées pour qu’elles les testent. Nous fournissons ces documents et les certificats d’analyse avec l’envoi pour certifier que nos produits répondent aux normes requises.

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