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Chemical Name:
Nitrure de gallium
Formula:
GaN
Product No.:
310700
CAS No.:
25617-97-4
EINECS No.:
247-129-0
Form:
Sputtering Target
HazMat:

MSDS

TDS

ID du produit Formule Purity Dimension Quantity Prix en € Enquête
310700ST001 GaN 99.99% Ø 25.4 mm x 3.175 mm 1 596.00 Inquire
310700ST002 GaN 99.99% Ø 25.4 mm x 6.35 mm 1 644.00 Inquire
310700ST003 GaN 99.99% Ø 50.8 mm x 3.175 mm 1 924.00 Inquire
310700ST004 GaN 99.999% Ø 25.4 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
310700ST005 GaN 99.999% Ø 25.4 mm x 6.35 mm 1 POR Inquire
310700ST006 GaN 99.999% Ø 50.8 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
ID du produit
310700ST001
Formule
GaN
Purity
99.99%
Dimension
Ø 25.4 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Prix en €
596.00
ID du produit
310700ST002
Formule
GaN
Purity
99.99%
Dimension
Ø 25.4 mm x 6.35 mm
Quantity
1
Prix en €
644.00
ID du produit
310700ST003
Formule
GaN
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Prix en €
924.00
ID du produit
310700ST004
Formule
GaN
Purity
99.999%
Dimension
Ø 25.4 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Prix en €
POR
ID du produit
310700ST005
Formule
GaN
Purity
99.999%
Dimension
Ø 25.4 mm x 6.35 mm
Quantity
1
Prix en €
POR
ID du produit
310700ST006
Formule
GaN
Purity
99.999%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Prix en €
POR

Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur binaire à bande interdite directe III/V couramment utilisé dans les diodes électroluminescentes depuis les années 1990. Le composé est un matériau très dur qui a une structure cristalline de Wurtzite. Sa large bande interdite de 3,4 eV lui confère des propriétés spéciales[clarification needed] pour des applications dans les dispositifs optoélectroniques[8],[9], à haute puissance et à haute fréquence. Formule chimique :GaNMmasse moléculaire :83.730 g/molApparence :poudre jauneDensité :6.1 g/cm3Point de fusion :1600 °CSolubilité dans l’eau :InsolubleÉcart de bande :3,4 eV (300 K, direct)Mobilité électronique :1500 cm2/(V·s) (300 K)Conductivité thermique :1,3 W/(cm·K) (300 K)Indice de réfraction (nD) :2.429Structure cristalline :WurtziteApplicationSa sensibilité aux rayonnements ionisants est faible (comme les autres nitrures du groupe III), ce qui en fait un matériau approprié pour les réseaux de cellules solaires pour satellites. Les applications militaires et spatiales pourraient également en bénéficier, car les dispositifs ont montré une stabilité dans des environnements radioactifs. Étant donné que les transistors GaN peuvent fonctionner à des températures et à des tensions beaucoup plus élevées que les transistors à l’arséniure de gallium (GaAs), ils constituent des amplificateurs de puissance idéaux aux fréquences micro-ondes. De plus, le GaN offre des caractéristiques prometteuses pour les appareils THz.

Produit recommandé

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VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) utilise un système d’assurance qualité rigoureux pour garantir la fiabilité de la qualité de ses produits. Un contrôle de qualité strict est mis en œuvre tout au long de la chaîne de production et, pour les produits défectueux, nous appliquons strictement le principe de la reprise et du remplacement. Chaque lot n’est libéré qu’après avoir passé des tests de spécification détaillés.

Chaque lot de nos matériaux est testé de manière indépendante et, si nécessaire, nous envoyons des échantillons à des entreprises certifiées pour qu’elles les testent. Nous fournissons ces documents et les certificats d’analyse avec l’envoi pour certifier que nos produits répondent aux normes requises.

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