Le lingot InAs est un matériau semi-conducteur important.
Structure : InAs est un composé d’indium (In) et d’arsenic (As) avec une structure cristalline de sphalérite.
Apparence : Il a un éclat métallique gris argenté et une surface relativement plate et lisse.
Densité : 5,67 g/cm³.
Dureté : environ 3,5.
Point de fusion : Le point de fusion d’InAs est relativement bas, environ 942°C.
Propriétés électriques :
L’InAs est un matériau semi-conducteur à bande interdite directe avec une bande interdite intrinsèque d’environ 0,36 eV à température ambiante.
La mobilité des porteurs d’InAs est très élevée, avec une mobilité électronique allant jusqu’à 33 000 cm²/(V・s), ce qui signifie que les électrons sont transportés efficacement à travers les matériaux InAs, contribuant ainsi aux performances des appareils électroniques.
Électronique à haut débit : En raison de sa grande mobilité porteuse, l’arséniure d’indium peut être utilisé pour fabriquer des transistors et des circuits intégrés à grande vitesse.
Dispositifs électroniques de faible puissance : les caractéristiques de faible bande interdite d’InAs en font une application prometteuse dans le domaine des dispositifs électroniques de faible puissance.
Détecteurs infrarouges : Les propriétés optiques d’InAs dans la bande infrarouge en font un matériau idéal pour les détecteurs infrarouges.
Diodes électroluminescentes (LED) et diodes laser (LD) : L’arséniure d’indium peut être utilisé comme matériau de zone active pour la fabrication de diodes électroluminescentes infrarouges et de diodes laser. Ces dispositifs optoélectroniques ont des applications importantes dans les domaines de la communication optique, du stockage optique et de l’éclairage infrarouge, etc. Par exemple, à l’extrémité émettrice infrarouge de la communication optique, InAs – LD peut fournir des signaux lumineux infrarouges stables et efficaces.
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