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Chemical Name:
Arséniure de gallium
Formula:
GaAs
Product No.:
313300
CAS No.:
1303-00-0
EINECS No.:
215-114-8
Form:
Sputtering Target
HazMat:

MSDS

TDS

ID du produit Formule Purity Dimension Quantity Prix en € Enquête
313300ST001 GaAs 99.999% Ø 50.8 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
313300ST002 GaAs 99.999% Ø 50.8 mm x 6.35 mm 1 POR Inquire
313300ST003 GaAs 99.999% Ø 76.2 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
313300ST004 GaAs 99.999% Ø 76.2 mm x 6.35 mm 1 POR Inquire
ID du produit
313300ST001
Formule
GaAs
Purity
99.999%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Prix en €
POR
ID du produit
313300ST002
Formule
GaAs
Purity
99.999%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Quantity
1
Prix en €
POR
ID du produit
313300ST003
Formule
GaAs
Purity
99.999%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Prix en €
POR
ID du produit
313300ST004
Formule
GaAs
Purity
99.999%
Dimension
Ø 76.2 mm x 6.35 mm
Quantity
1
Prix en €
POR

En raison de matériaux dangereux, le délai de livraison ne peut pas être entièrement garanti (éventuellement prolongé). N’hésitez pas à nous contacter pour plus de détails. CaractéristiqueL’arséniure de gallium (GaAs) est un composé des éléments gallium et arsenic. Il s’agit d’un semi-conducteur à bande interdite directe III-V avec une structure cristalline de blende de zinc. Formule chimique :GaAsMasse molaire :144.645 g/molApparence :Cristaux grisOdeur :semblable à celle de l’ail lorsqu’il est humidifiéDensité :5.3176 g/cm3Point de fusion :1 238 °C (2 260 °F ; 1,511 K)Solubilité dans l’eau :insolubleSolubilité :soluble dans HCl insoluble dans l’éthanol, le méthanol, l’acétoneÉcart de bande :1.441 eV (à 300 K)Mobilité des électrons :9000 cm2/(V·s) (à 300 K)Susceptibilité magnétique (χ) :-16,2×10−6cgsConductivité thermique :0,56 W/(cm·K) (à 300 K)Indice de réfraction (nD) :3,3Structure cristalline :Blende de zincApplicationArséniure de gallium est utilisé dans la fabrication de dispositifs tels que les circuits intégrés à fréquence micro-ondes, les circuits intégrés à micro-ondes monolithiques, les diodes électroluminescentes infrarouges, les diodes laser, les cellules solaires et les fenêtres optiques. Le GaAs est souvent utilisé comme matériau de substrat pour la croissance épitaxiale d’autres semi-conducteurs III-V, notamment l’arséniure d’indium et de gallium, l’arséniure d’aluminium et de gallium et d’autres.

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VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) utilise un système d’assurance qualité rigoureux pour garantir la fiabilité de la qualité de ses produits. Un contrôle de qualité strict est mis en œuvre tout au long de la chaîne de production et, pour les produits défectueux, nous appliquons strictement le principe de la reprise et du remplacement. Chaque lot n’est libéré qu’après avoir passé des tests de spécification détaillés.

Chaque lot de nos matériaux est testé de manière indépendante et, si nécessaire, nous envoyons des échantillons à des entreprises certifiées pour qu’elles les testent. Nous fournissons ces documents et les certificats d’analyse avec l’envoi pour certifier que nos produits répondent aux normes requises.

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