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Chemical Name:
Nitruro de galio
Formula:
GaN
Product No.:
310700
CAS No.:
25617-97-4
EINECS No.:
247-129-0
Form:
Sputtering Target
HazMat:

MSDS

TDS

ID del producto Fórmula Purity Dimensión Quantity Precio en € Indagación
310700ST001 GaN 99.99% Ø 25.4 mm x 3.175 mm 1 596.00 Inquire
310700ST002 GaN 99.99% Ø 25.4 mm x 6.35 mm 1 644.00 Inquire
310700ST003 GaN 99.99% Ø 50.8 mm x 3.175 mm 1 924.00 Inquire
310700ST004 GaN 99.999% Ø 25.4 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
310700ST005 GaN 99.999% Ø 25.4 mm x 6.35 mm 1 POR Inquire
310700ST006 GaN 99.999% Ø 50.8 mm x 3.175 mm 1 POR Inquire
ID del producto
310700ST001
Fórmula
GaN
Purity
99.99%
Dimensión
Ø 25.4 mm x 3.175 mm
Quantity
1
Precio en €
596.00
ID del producto
310700ST002
Fórmula
GaN
Purity
99.99%
Dimensión
Ø 25.4 mm x 6.35 mm
Quantity
1
Precio en €
644.00
ID del producto
310700ST003
Fórmula
GaN
Purity
99.99%
Dimensión
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Quantity
1
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924.00
ID del producto
310700ST004
Fórmula
GaN
Purity
99.999%
Dimensión
Ø 25.4 mm x 3.175 mm
Quantity
1
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POR
ID del producto
310700ST005
Fórmula
GaN
Purity
99.999%
Dimensión
Ø 25.4 mm x 6.35 mm
Quantity
1
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POR
ID del producto
310700ST006
Fórmula
GaN
Purity
99.999%
Dimensión
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Quantity
1
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CaracterísticasEl nitruro de galio (GaN) es un semiconductor binario de banda prohibida directa III/V comúnmente utilizado en diodos emisores de luz desde la década de 1990. El compuesto es un material muy duro que tiene una estructura cristalina de wurtzita. Su banda prohibida ancha de 3,4 eV le otorga propiedades especiales[clarification needed] para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos,[8] [9] de alta potencia y alta frecuencia. Fórmula química:GaNMomposición horizontal:83.730 g/molAspecto:polvo amarilloDensidad:6.1 g/cm3Punto de fusión:1600 °CSolubilidad en agua:InsolubleBrecha de banda:3.4 eV (300 K, directo)Movilidad electrónica:1500 cm2/(V·s) (300 K)Conductividad térmica:1.3 W/(cm·K) (300 K)Índice de refracción (nD):2.429Estructura cristalina:WurtziteAplicaciónSu sensibilidad a la radiación ionizante es baja (como otros nitruros del grupo III), lo que lo convierte en un material adecuado para conjuntos de células solares para satélites. Las aplicaciones militares y espaciales también podrían beneficiarse, ya que los dispositivos han demostrado estabilidad en entornos de radiación. Debido a que los transistores de GaN pueden operar a temperaturas mucho más altas y funcionar a voltajes mucho más altos que los transistores de arseniuro de galio (GaAs), son amplificadores de potencia ideales a frecuencias de microondas. Además, el GaN ofrece características prometedoras para los dispositivos THz.

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Cada lote de nuestros materiales se somete a pruebas independientes y, si es necesario, enviamos muestras a empresas certificadas para que las prueben. Proporcionamos estos documentos y certificados de análisis con el envío para certificar que nuestros productos cumplen las normas exigidas.

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