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Chemical Name:
Nitruro de aluminio
Formula:
AlN
Product No.:
130700
CAS No.:
24304-00-5
EINECS No.:
246-140-8
Form:
Sputtering Target
HazMat:

MSDS

TDS

ID del producto Fórmula Purity Dimensión Quantity Precio en € Indagación
130700ST001 AlN 99.9% Ø 25mm x 5mm 1 POR Inquire
130700ST002 AlN 99.9% Ø 50.8mm x 3.2mm 1 POR Inquire
130700ST003 AlN 99.5% Ø 76.2mm x 3mm 1 POR Inquire
ID del producto
130700ST001
Fórmula
AlN
Purity
99.9%
Dimensión
Ø 25mm x 5mm
Quantity
1
Precio en €
POR
ID del producto
130700ST002
Fórmula
AlN
Purity
99.9%
Dimensión
Ø 50.8mm x 3.2mm
Quantity
1
Precio en €
POR
ID del producto
130700ST003
Fórmula
AlN
Purity
99.5%
Dimensión
Ø 76.2mm x 3mm
Quantity
1
Precio en €
POR

El objetivo de pulverización catódica de nitruro de aluminio (AlN) es un material de alta pureza que se utiliza en los procesos de deposición física de vapor (PVD), particularmente la pulverización catódica, para crear películas delgadas de nitruro de aluminio en varios sustratos. Conocidas por su excelente conductividad térmica, alto aislamiento eléctrico y durabilidad, las películas delgadas de AlN se aplican ampliamente en las industrias electrónica, óptica y de semiconductores. La composición y la calidad de fabricación del objetivo de pulverización catódica de nitruro de aluminio son cruciales para lograr recubrimientos uniformes y sin defectos.

 

Composición y pureza:

Nitruro de aluminio (AlN): Compuestos de aluminio y nitrógeno, los objetivos de AlN ofrecen una alta conductividad térmica y aislamiento eléctrico. Alta pureza (normalmente ≥ 99,5%): Los objetivos de AlN de alta pureza son esenciales para lograr películas delgadas de alta calidad y libres de contaminación, lo cual es fundamental en aplicaciones de semiconductores y electrónica.

 

Propiedades físicas y térmicas:

Alta conductividad térmica: El AlN ofrece una de las conductividades térmicas más altas entre las cerámicas, proporcionando una excelente disipación de calor para películas delgadas en electrónica. Aislamiento eléctrico: Las propiedades aislantes del AlN lo hacen ideal para películas que requieren aislamiento eléctrico, como en dispositivos semiconductores. Duradero y resistente al estrés térmico: Los objetivos de pulverización catódica de nitruro de aluminio son estables a altas temperaturas, lo que los hace adecuados para procesos de deposición sostenidos.

 

Aplicaciones:

Industria de semiconductores: Las películas de AlN se utilizan como capas aislantes en dispositivos semiconductores, lo que mejora el rendimiento al evitar fugas de corriente. Transistores de película delgada (TFT) y LED: El AlN se utiliza en transistores de película delgada y sustratos LED, donde su conductividad térmica ayuda a la disipación del calor, lo que prolonga la vida útil del dispositivo. Dispositivos de ondas acústicas superficiales (SAW): Las propiedades piezoeléctricas del AlN lo hacen adecuado para filtros SAW, comúnmente utilizados en filtros de RF y sistemas de comunicación inalámbrica. Optoelectrónica y recubrimientos ópticos: Las películas delgadas de AlN son valoradas en optoelectrónica por su transparencia y compatibilidad con dispositivos ópticos.

 

Manipulación y almacenamiento:

Fragilidad: Los objetivos de pulverización catódica de nitruro de aluminio, aunque duraderos en condiciones de deposición, pueden ser frágiles. Es necesario un manejo cuidadoso para evitar astillas o fracturas. Control de humedad: El AlN es ligeramente susceptible a la hidrólisis en ambientes húmedos, por lo que se recomienda almacenar los objetivos en un ambiente seco y controlado para mantener la pureza y el rendimiento.

 

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