CaracterísticaEl fosfuro de galio (GaP), un fosfuro de galio, es un material semiconductor compuesto con una banda prohibida indirecta de 2,24 eV a temperatura ambiente. El material policristalino impuro tiene la apariencia de piezas de color naranja pálido o grisáceo. Los monocristales no dopados son de color naranja, pero las obleas fuertemente dopadas parecen más oscuras debido a la absorción de portadores libres. Es inodoro e insoluble en agua. Fórmula química:GaPMombra olar:100.697 g / molApariencia:sólido naranja pálidoOlor:inodoroDensidad:4.138 g/cm3Punto de fusión:1.457 °C (2.655 °F; 1.730 K)Solubilidad en agua:insolubleBanda prohibida:2.24 eV (indirecta, 300 K)Movilidad electrónica:300 cm2/(V·s) (300 K)Susceptibilidad magnética (χ):-13.8×10−6 cgsConductividad térmica:0.752 W/(cm·K) (300 K)Índice de refracción (nD):2.964 (10 μm), 3.209 (775 nm), 3.590 (500 nm), 5.05 (354 nm)Estructura cristalina:Blenda de zincAplicaciónEl azufre o el telurio se utilizan como dopantes para Producir semiconductores de tipo n. El zinc se utiliza como dopante para el semiconductor de tipo p.
VI HALBLEITERMATERIAL GmbH (VIMATERIAL) emplea un estricto sistema de garantía de calidad para asegurar la fiabilidad de la calidad de nuestros productos. Se aplica un estricto control de calidad en toda la cadena de producción, y en el caso de productos defectuosos, aplicamos estrictamente el principio de reelaborar y rehacer. Cada lote se libera sólo después de superar pruebas detalladas de especificación.
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