El lingote InAs es un material semiconductor importante.
Estructura: El InAs es un compuesto de indio (In) y arsénico (As) con una estructura cristalina de esfalerita.
Aspecto: Tiene un brillo metálico de color gris plateado y una superficie relativamente plana y lisa.
Densidad: 5,67 g/cm³. Dureza: alrededor de 3.5.
Punto de fusión: El punto de fusión del InAs es relativamente bajo, alrededor de 942 °C.
Propiedades eléctricas:
InAs es un material semiconductor de banda prohibida directa con una banda prohibida intrínseca de aproximadamente 0,36 eV a temperatura ambiente.
La movilidad portadora del InAs es muy alta, con una movilidad de electrones de hasta 33.000 cm²/(V・s), lo que significa que los electrones se transportan de manera eficiente a través de los materiales de InAs, lo que contribuye al rendimiento de los dispositivos electrónicos.
Electrónica de alta velocidad: Debido a su alta movilidad de portadores, el arseniuro de indio se puede utilizar para fabricar transistores de alta velocidad y circuitos integrados.
Dispositivos electrónicos de baja potencia: las características de baja banda prohibida del InAs lo convierten en una aplicación prometedora en el campo de los dispositivos electrónicos de baja potencia.
Detectores infrarrojos: Las propiedades ópticas del InAs en la banda infrarroja lo convierten en un material ideal para los detectores infrarrojos.
Diodos emisores de luz (LED) y diodos láser (LD): El arseniuro de indio se puede utilizar como material de área activa para la fabricación de diodos emisores de luz infrarroja y diodos láser. Estos dispositivos optoelectrónicos tienen importantes aplicaciones en los campos de la comunicación óptica, el almacenamiento óptico y la iluminación infrarroja, etc. Por ejemplo, en el extremo emisor de infrarrojos de la comunicación óptica, InAs – LD puede proporcionar señales de luz infrarroja estables y eficientes.
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