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Chemical Name:
Arseniuro de galio
Formula:
GaAs
Product No.:
313300
CAS No.:
1303-00-0
EINECS No.:
215-114-8
Form:
Granules
HazMat:
Class 6.1 / UN1557 / PG II

MSDS

TDS

ID del producto Fórmula Purity Dimensión Quantity Precio en € Indagación
313300GN001 GaAs 99.999% 3 mm - 6 mm 50g 550.00 Inquire
313300GN002 GaAs 99.9999% 3 mm - 6 mm 10g 800.00 Inquire
ID del producto
313300GN001
Fórmula
GaAs
Purity
99.999%
Dimensión
3 mm - 6 mm
Quantity
50g
Precio en €
550.00
ID del producto
313300GN002
Fórmula
GaAs
Purity
99.9999%
Dimensión
3 mm - 6 mm
Quantity
10g
Precio en €
800.00

Debido a la peligrosidad de los materiales, la fecha de entrega no se puede garantizar por completo (puede extenderse). No dude en ponerse en contacto con nosotros para obtener más detalles. CaracterísticaEl arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de los elementos galio y arsénico. Es un semiconductor de banda prohibida directa III-V con una estructura cristalina de zinc y blenda. Fórmula química:GaAsMasa molar:144.645 g/molApariencia:Cristales grisesOlor:parecido al ajo cuando se humedece)Densidad:5.3176 g/cm3Punto de fusión:1,238 °C (2,260 °F; 1,511 K)Solubilidad en agua:insolubleSolubilidad:soluble en HCl, insoluble en etanol, metanol, acetonaBanda prohibida:1.441 eV (a 300 K)Movilidad electrónica:9000 cm2/(V·s) (a 300 K)Susceptibilidad magnética (χ):-16.2×10-6 cgsConductividad térmica:0.56 W/(cm·K) (a 300 K)Índice de refracción (nD):3.3Estructura cristalina:Blenda de zincAplicaciónArniuro de galio Se utiliza en la fabricación de dispositivos como circuitos integrados de frecuencia de microondas, circuitos integrados monolíticos de microondas, diodos emisores de luz infrarroja, diodos láser, células solares y ventanas ópticas. El GaAs se utiliza a menudo como material de sustrato para el crecimiento epitaxial de otros semiconductores III-V, como el arseniuro de indio y galio, el arseniuro de aluminio y galio, entre otros.

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