{"id":1053991,"date":"2024-06-17T14:12:45","date_gmt":"2024-06-17T06:12:45","guid":{"rendered":"https:\/\/vimaterial.de\/product\/carburo-di-silicio-3\/"},"modified":"2024-06-17T14:12:45","modified_gmt":"2024-06-17T06:12:45","slug":"carburo-di-silicio-3","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/vimaterial.de\/it\/product\/carburo-di-silicio-3\/","title":{"rendered":"Carburo di silicio"},"content":{"rendered":"<p>I target di sputtering in carburo di silicio sono realizzati con un semiconduttore ceramico a banda larga caratterizzato da eccezionale durezza, elevata conduttivit\u00e0 termica, eccellente stabilit\u00e0 termica e straordinaria resistenza chimica. Queste propriet\u00e0 rendono il SiC un materiale ideale per applicazioni nel settore dei semiconduttori, dei rivestimenti ottici e dell\u2019elettronica ad alta potenza.<\/p>\n<p><span style=\"color: #0000ff;\"><strong><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/vimaterial.de\/it\/su-di-noi\/\">VIMATERIAL<\/a><\/strong><\/span> offre bersagli in SiC ad alta purezza, disponibili in varie dimensioni per soddisfare le vostre esigenze. <span style=\"color: #0000ff;\"><strong><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/vimaterial.de\/it\/contatto\/\">Contattateci<\/a><\/strong><\/span> per ulteriori informazioni.<\/p>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">Propriet\u00e0<\/span><\/h2>\n<p>Durezza e resistenza all\u2019usura: il carburo di silicio presenta una durezza secondo la scala di Mohs compresa tra circa 9,2 e 9,5, garantendo un\u2019eccellente resistenza all\u2019usura e riducendo al minimo la generazione di particelle durante lo sputtering, con conseguente maggiore durata del target e maggiore stabilit\u00e0 del processo.<\/p>\n<p>Stabilit\u00e0 termica: con un punto di fusione superiore a 2700 \u00b0C e un\u2019elevata conducibilit\u00e0 termica, il carburo di silicio mantiene un\u2019eccellente stabilit\u00e0 dimensionale in condizioni di sputtering ad alta potenza.<\/p>\n<p>Propriet\u00e0 elettriche e ottiche: il carburo di silicio offre eccellenti prestazioni elettriche, insieme a un ampio bandgap e a un\u2019elevata rigidit\u00e0 dielettrica, rendendolo adatto a dispositivi a semiconduttori, elettronica RF e film sottili ottici.<\/p>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">Caratteristiche del prodotto<\/span><\/h2>\n<ul>\n<li>Elevata purezza fino al 99,5%<\/li>\n<li>Elevata densit\u00e0 e bassa porosit\u00e0<\/li>\n<li>Eccellente conducibilit\u00e0 termica<\/li>\n<li>Prestazioni di sputtering stabili<\/li>\n<li>Bassa generazione di particelle<\/li>\n<li>Lunga durata del target<\/li>\n<li>Dimensioni personalizzate disponibili<\/li>\n<li>Compatibile con i principali sistemi di sputtering<\/li>\n<\/ul>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">Specifiche tecniche<\/span><\/h2>\n<table style=\"border-collapse: collapse; width: 100%; height: 249px;\">\n<tbody>\n<tr style=\"height: 33px;\">\n<td style=\"width: 50%; height: 33px;\"><strong>Caratteristica<\/strong><\/td>\n<td style=\"width: 50%; height: 33px;\"><strong>Valore<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"height: 24px;\">\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Materiale<\/td>\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Carburo di silicio<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"height: 24px;\">\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Formula<\/td>\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">SiC<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"height: 24px;\">\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Purezza<\/td>\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">99,5%<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"height: 24px;\">\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Densit\u00e0<\/td>\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">\u226598% teorico<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"height: 24px;\">\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Forma<\/td>\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Rotonda \/ Rettangolare \/ Personalizzata<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"height: 24px;\">\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Spessore<\/td>\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">3\u201320 mm<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"height: 24px;\">\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Incollaggio<\/td>\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Indio \/ Elastomero \/ Personalizzato<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"height: 24px;\">\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Finitura superficiale<\/td>\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Rettificato \/ Lucidato<\/td>\n<\/tr>\n<tr style=\"height: 24px;\">\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Produzione<\/td>\n<td style=\"width: 50%; height: 24px;\">Pressatura a caldo \/ Sinterizzazione<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">Dimensioni disponibili<\/span><\/h2>\n<p>I tipici target di sputtering in SiC sono disponibili nelle seguenti dimensioni:<\/p>\n<ul>\n<li>Target rotondi<\/li>\n<li>Target rettangolari<\/li>\n<li><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/vimaterial.de\/it\/product-category\/materiali-di-deposizione\/obiettivi-di-sputtering-planari\/\">Target planari<\/a><\/span><\/li>\n<li>Target incollati<\/li>\n<li>Dimensioni personalizzate su richiesta<\/li>\n<\/ul>\n<p>Spessore:<\/p>\n<ul>\n<li>3\u201320 mm (personalizzabile)<\/li>\n<\/ul>\n<p><span style=\"color: #ff6600;\"><em>Sono disponibili dimensioni personalizzate, incollaggio su piastra di supporto e tolleranze di lavorazione in base ai disegni forniti dal cliente.<\/em><\/span><\/p>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">Applicazioni dei target di sputtering in carburo di silicio<\/span><\/h2>\n<p>I bersagli di sputtering in carburo di silicio sono ampiamente utilizzati per:<\/p>\n<ul>\n<li>Dispositivi a semiconduttori<\/li>\n<li>Elettronica di potenza<\/li>\n<li>Componenti RF e a microonde<\/li>\n<li>Rivestimenti ottici<\/li>\n<li>Celle solari a film sottile<\/li>\n<li>Dispositivi MEMS<\/li>\n<li>Componenti aerospaziali<\/li>\n<li>Rivestimenti protettivi per alte temperature<\/li>\n<\/ul>\n<h2><span style=\"font-size: 14pt;\">Domande frequenti<\/span><\/h2>\n<p><strong>D1. Che cos&#8217;\u00e8 un bersaglio di sputtering in carburo di silicio (SiC)?<\/strong><\/p>\n<p>Un bersaglio in carburo di silicio \u00e8 un materiale di alta purezza utilizzato nella deposizione fisica da vapore (PVD) per depositare film sottili di SiC. \u00c8 apprezzato per la sua elevata durezza, l\u2019eccellente conduttivit\u00e0 termica, la stabilit\u00e0 chimica e l\u2019ampio bandgap, che lo rendono adatto ad applicazioni nel campo dei semiconduttori, dell\u2019ottica e delle alte temperature.<\/p>\n<p><strong>D2. A cosa servono i target di sputtering in carburo di silicio?<\/strong><\/p>\n<p>Sono comunemente<strong>utilizzati<\/strong>per dispositivi a semiconduttori, elettronica di potenza, componenti RF, rivestimenti ottici, dispositivi MEMS, rivestimenti resistenti all\u2019usura e celle solari a film sottile. Vengono impiegati anche nel settore aerospaziale e in altre applicazioni industriali ad alta temperatura.<\/p>\n<p><strong>D3. \u00c8 possibile richiedere un servizio personalizzato?<\/strong><\/p>\n<p>S\u00ec. \u00c8 possibile fornire dimensioni, forme, spessori, incollaggio della piastra di supporto e tolleranze di lavorazione personalizzati in base alle specifiche del vostro sistema di sputtering o ai disegni tecnici.<\/p>\n<p><strong>D4. \u00c8 disponibile una piastra di supporto incollata?<\/strong><\/p>\n<p>S\u00ec. I bersagli di sputtering in carburo di silicio possono essere forniti con piastre di supporto incollate utilizzando materiali e processi di incollaggio adeguati per migliorare la dissipazione del calore, la stabilit\u00e0 meccanica e le prestazioni di sputtering.<\/p>\n<p><strong>D5. Quali metodi di deposizione sono compatibili con i bersagli di sputtering in SiC?<\/strong><\/p>\n<p>I bersagli di sputtering in carburo di silicio sono compatibili con lo sputtering magnetron in corrente continua (DC), lo sputtering magnetron in radiofrequenza (RF) e lo sputtering reattivo, a seconda della conduttivit\u00e0 del bersaglio e delle propriet\u00e0 desiderate del film.<\/p>\n<p><strong>D6. Quali fattori influenzano le prestazioni di un bersaglio di sputtering in SiC?<\/strong><\/p>\n<p>La purezza, la densit\u00e0, la granulometria, il processo di produzione, la finitura superficiale e la qualit\u00e0 dell\u2019incollaggio del bersaglio influenzano la stabilit\u00e0 dello sputtering, la velocit\u00e0 di deposizione, la generazione di particelle e l\u2019uniformit\u00e0 del film sottile. I bersagli ad alta densit\u00e0 e alta purezza garantiscono generalmente una maggiore durata e prestazioni di rivestimento pi\u00f9 costanti.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>I target di sputtering in carburo di silicio sono realizzati con un semiconduttore ceramico a banda larga caratterizzato da eccezionale durezza, elevata conduttivit\u00e0 termica, eccellente stabilit\u00e0 termica e straordinaria resistenza chimica. Queste propriet\u00e0 rendono il SiC un materiale ideale per applicazioni nel settore dei semiconduttori, dei rivestimenti ottici e dell\u2019elettronica ad alta potenza. 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