Il fosfuro di indio (InP) \u00e8 una sostanza chimica con una forma cristallina grigio scuro con una lucentezza simile alla pece. \u00c8 un materiale semiconduttore con eccellenti propriet\u00e0 elettriche e ottiche. VIMATERIAL \u00e8 specializzata nella produzione di vari prodotti composti di indio. Supporta la lavorazione dei materiali in entrata e dispone di scorte tutto l’anno. <\/p>\n
Aspetto: solido grigio argento a temperatura ambiente, il cristallo singolo \u00e8 un cristallo cubico nero. Densit\u00e0: 4,81 g\/cm\u00b3 Punto di fusione: 1062 \u00b0C (1944 \u00b0F; 1335 K) Costante del reticolo: a = 5,8687 \u00c5 Indice di rifrazione: 3,1 nell’infrarosso; 3,55 a 632,8 nm. Durezza: Il fosfuro di indio ha una durezza di circa 4100 N\/mm\u00b2, misurata sulla scala Knoop. Propriet\u00e0 chimiche: Leggermente solubile in acidi inorganici, l’idrolisi produce fosfina.<\/p>\n
Il fosfuro di indio ha una vasta gamma di applicazioni nei materiali semiconduttori. Pu\u00f2 essere utilizzato per produrre dispositivi elettronici ad alta velocit\u00e0, dispositivi optoelettronici, dispositivi a microonde, ecc. In particolare, nella tecnologia di comunicazione in fibra ottica, il fosfuro di indio \u00e8 un materiale importante. La tecnologia di comunicazione in fibra ottica \u00e8 una parte importante della moderna tecnologia di comunicazione e il fosfuro di indio \u00e8 una parte importante della tecnologia di comunicazione in fibra ottica. Il fosfuro di indio pu\u00f2 essere utilizzato per produrre dispositivi optoelettronici come modulatori fotoelettrici, laser e rivelatori, che svolgono un ruolo fondamentale nella tecnologia di comunicazione in fibra ottica. <\/p>\n
(1) Il fosfuro di indio presenta i vantaggi di un’elevata velocit\u00e0 di deriva del picco degli elettroni, un’elevata larghezza di banda proibita e un’elevata conduttivit\u00e0 termica. La banda proibita di transizione diretta di InP \u00e8 1,34 eV, che corrisponde alla banda con la minore perdita di trasmissione nella comunicazione ottica; la conduttivit\u00e0 termica \u00e8 superiore a GaAs e le prestazioni di dissipazione del calore sono migliori; (2) Il fosfuro di indio ha pi\u00f9 vantaggi del GaAs nella produzione di dispositivi. L’elevato rapporto picco-valle di corrente dei dispositivi InP determina l’elevata efficienza di conversione del dispositivo; la costante di tempo di energia inerziale di InP \u00e8 la met\u00e0 di quella di GaAs e il limite di efficienza di lavoro \u00e8 il doppio di quello dei dispositivi GaAs; I dispositivi InP hanno migliori caratteristiche di rumore; (3) Il fosfuro di indio (InP) come materiale di substrato ha le seguenti applicazioni principali. I dispositivi optoelettronici, tra cui sorgenti luminose (LED) e rivelatori (fotorivelatori da valanga APD), sono utilizzati principalmente nei sistemi di comunicazione in fibra ottica; I laser integrati, i rivelatori ottici e gli amplificatori, ecc., sono circuiti integrati optoelettronici e sono componenti essenziali della nuova generazione di sistemi di comunicazione a 40 Gb\/s. <\/p>\n
I nostri prodotti implementano il pi\u00f9 rigoroso sistema di gestione della qualit\u00e0. Esistono rigorosi standard di ispezione per i materiali in entrata, i processi, le ispezioni finali e le ispezioni in fabbrica. Saranno adottate rigorose misure di isolamento per la lavorazione non qualificata per evitare che i prodotti non qualificati fluiscano nel processo successivo. I campioni saranno forniti ai clienti in base alle esigenze del cliente per una nuova ispezione. <\/p>\n
Confezionamento sottovuoto, la quantit\u00e0 di imballaggio pu\u00f2 essere fornita in base alle esigenze del cliente e confezionata separatamente. L’InP deve essere conservato in un ambiente asciutto e ventilato, evitare la luce solare diretta e stare lontano da sostanze corrosive come acidi e alcali. Se l’umidit\u00e0 dell’ambiente di stoccaggio \u00e8 elevata, \u00e8 possibile inserire un essiccante nel contenitore di conservazione.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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