CaratteristicaIl nitruro di gallio (GaN) \u00e8 un semiconduttore binario a banda proibita diretta III\/V comunemente usato nei diodi emettitori di luce dagli anni ‘1990. Il composto \u00e8 un materiale molto duro che ha una struttura cristallina di wurtzite. La sua ampia banda proibita di 3,4 eV gli conferisce propriet\u00e0 speciali[clarification needed] per applicazioni in dispositivi optoelettronici,[8][9] ad alta potenza e ad alta frequenza. Formula chimica:GaNMerme molare:83.730 g\/molAspetto:polvere giallaDensit\u00e0:6.1 g\/cm3Punto di fusione:1600 \u00b0CSolubilit\u00e0 in acqua:InsolubileBand gap:3.4 eV (300 K, diretto)Mobilit\u00e0 elettronica:1500 cm2\/(V\u00b7s) (300 K)Conducibilit\u00e0 termica:1.3 W\/(cm\u00b7K) (300 K)Indice di rifrazione (nD):2.429Struttura cristallina:WurtziteApplicazioneLa sua sensibilit\u00e0 alle radiazioni ionizzanti \u00e8 bassa (come altri nitruri del gruppo III), il che lo rende un materiale adatto per array di celle solari per satelliti. Anche le applicazioni militari e spaziali potrebbero trarne vantaggio poich\u00e9 i dispositivi hanno mostrato stabilit\u00e0 in ambienti di radiazioni. Poich\u00e9 i transistor GaN possono funzionare a temperature molto pi\u00f9 elevate e lavorare a tensioni molto pi\u00f9 elevate rispetto ai transistor all’arseniuro di gallio (GaAs), sono amplificatori di potenza ideali alle frequenze delle microonde. Inoltre, GaN offre caratteristiche promettenti per i dispositivi THz.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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