Les cibles de pulv\u00e9risation en carbure de silicium sont fabriqu\u00e9es \u00e0 partir d’un semi-conducteur c\u00e9ramique \u00e0 large bande interdite qui se caract\u00e9rise par une duret\u00e9 exceptionnelle, une conductivit\u00e9 thermique \u00e9lev\u00e9e, une excellente stabilit\u00e9 thermique et une r\u00e9sistance chimique remarquable. Ces propri\u00e9t\u00e9s font du SiC un mat\u00e9riau id\u00e9al pour les applications dans les domaines des semi-conducteurs, des rev\u00eatements optiques et de l’\u00e9lectronique de forte puissance.<\/p>\n
VIMATERIAL<\/a><\/strong><\/span> propose des cibles en SiC de haute puret\u00e9, disponibles en diff\u00e9rentes tailles pour r\u00e9pondre \u00e0 vos besoins. Contactez-nous<\/a><\/strong><\/span> pour plus d\u2019informations.<\/p>\n Duret\u00e9 et r\u00e9sistance \u00e0 l’usure : le carbure de silicium pr\u00e9sente une duret\u00e9 sur l’\u00e9chelle de Mohs d’environ 9,2 \u00e0 9,5, ce qui lui conf\u00e8re une excellente r\u00e9sistance \u00e0 l’usure et minimise la g\u00e9n\u00e9ration de particules pendant la pulv\u00e9risation cathodique, prolongeant ainsi la dur\u00e9e de vie de la cible et am\u00e9liorant la stabilit\u00e9 du processus.<\/p>\n Stabilit\u00e9 thermique : avec un point de fusion sup\u00e9rieur \u00e0 2 700 \u00b0C et une conductivit\u00e9 thermique \u00e9lev\u00e9e, le carbure de silicium conserve une excellente stabilit\u00e9 dimensionnelle dans des conditions de pulv\u00e9risation \u00e0 haute puissance.<\/p>\n Propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques et optiques : le carbure de silicium offre d\u2019excellentes performances \u00e9lectriques, associ\u00e9es \u00e0 une large bande interdite et \u00e0 une rigidit\u00e9 di\u00e9lectrique \u00e9lev\u00e9e, ce qui le rend adapt\u00e9 aux dispositifs semi-conducteurs, \u00e0 l\u2019\u00e9lectronique RF et aux films minces optiques.<\/p>\n Les cibles de pulv\u00e9risation en SiC sont g\u00e9n\u00e9ralement disponibles sous forme de :<\/p>\nPropri\u00e9t\u00e9s<\/span><\/h2>\n
Caract\u00e9ristiques du produit<\/span><\/h2>\n
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Caract\u00e9ristiques techniques<\/span><\/h2>\n
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\n Propri\u00e9t\u00e9<\/strong><\/td>\n Valeur<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n \n Mat\u00e9riau<\/td>\n Carbure de silicium<\/td>\n<\/tr>\n \n Formule<\/td>\n SiC<\/td>\n<\/tr>\n \n Puret\u00e9<\/td>\n 99,5 %<\/td>\n<\/tr>\n \n Densit\u00e9<\/td>\n \u2265 98 % de la valeur th\u00e9orique<\/td>\n<\/tr>\n \n Forme<\/td>\n Ronde \/ Rectangulaire \/ Sur mesure<\/td>\n<\/tr>\n \n \u00c9paisseur<\/td>\n 3\u201320 mm<\/td>\n<\/tr>\n \n Liaison<\/td>\n Indium \/ \u00c9lastom\u00e8re \/ Sur mesure<\/td>\n<\/tr>\n \n Finition de surface<\/td>\n Meul\u00e9e \/ Polie<\/td>\n<\/tr>\n \n Fabrication<\/td>\n Pressage \u00e0 chaud \/ Frittage<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n Dimensions disponibles<\/span><\/h2>\n