La cible de pulv\u00e9risation de tellurium est un mat\u00e9riau cl\u00e9 largement utilis\u00e9 dans les domaines des semi-conducteurs, de l’\u00e9lectronique, de l’optique et d’autres domaines. Les atomes de tellurium sont pulv\u00e9ris\u00e9s et d\u00e9pos\u00e9s sur la surface du substrat pour former un film mince par bombardement d’un flux de faisceaux d’ions dans un environnement de vide pouss\u00e9.<\/p>\n
VIMATERIAL propose du tellure m\u00e9tallique tellure m\u00e9tallique<\/a><\/span> de haute puret\u00e9, et peut personnaliser diff\u00e9rentes tailles pour r\u00e9pondre \u00e0 vos besoins. Contactez nous pour plus d’informations<\/a><\/span> pour plus d’informations.<\/p>\n Aspect : Gris.<\/p>\n Densit\u00e9 : La densit\u00e9 th\u00e9orique est d’environ 6,25 g\/cm3<\/sup>. Une densit\u00e9 \u00e9lev\u00e9e est importante pour la pulv\u00e9risation uniforme des atomes et le d\u00e9p\u00f4t uniforme de films minces dans le processus de pulv\u00e9risation.<\/p>\n Point de fusion : Le point de fusion est de 450\u00b0C. Le point de fusion relativement mod\u00e9r\u00e9 permet \u00e0 la cible de maintenir la stabilit\u00e9 de l’\u00e9tat solide pendant la pulv\u00e9risation et de r\u00e9aliser la pulv\u00e9risation d’atomes \u00e0 un certain niveau d’\u00e9nergie.<\/p>\n Conductivit\u00e9 thermique : La conductivit\u00e9 thermique est de 1,97~3,0 W\/m Kelvin, la taille de la conductivit\u00e9 thermique affecte le transfert de chaleur et la distribution de la temp\u00e9rature du mat\u00e9riau cible pendant le processus de pulv\u00e9risation, ce qui a une certaine influence sur la stabilit\u00e9 de la pulv\u00e9risation et la qualit\u00e9 du film.<\/p>\n Stabilit\u00e9 chimique : En tant que cible de pulv\u00e9risation, elle peut conserver une bonne stabilit\u00e9 chimique dans des environnements de pulv\u00e9risation appropri\u00e9s (vide pouss\u00e9, protection par gaz inerte, etc.) afin de garantir que la puret\u00e9 et la qualit\u00e9 du film ne seront pas affect\u00e9es par des r\u00e9actions chimiques avec d’autres substances au cours du processus de pulv\u00e9risation.<\/p>\n Caract\u00e9ristiques de puret\u00e9 : G\u00e9n\u00e9ralement jusqu’\u00e0 99,99 %, voire 99,999 %. Une puret\u00e9 \u00e9lev\u00e9e peut garantir la puret\u00e9 des atomes de tellure pulv\u00e9ris\u00e9s, de sorte que le film d\u00e9pos\u00e9 pr\u00e9sente de bonnes propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques et optiques, et r\u00e9pond aux exigences \u00e9lev\u00e9es des semi-conducteurs, de l’\u00e9lectronique, de l’optique et d’autres domaines en mati\u00e8re de mat\u00e9riaux en couches minces.<\/p>\n Propri\u00e9t\u00e9s de la structure cristalline : Le tellure existe en deux isotopes, \u00e0 l’\u00e9tat cristallin et \u00e0 l’\u00e9tat amorphe. La structure cristalline affecte la direction de pulv\u00e9risation et la distribution de l’\u00e9nergie des atomes pendant le processus de pulv\u00e9risation, ce qui affecte \u00e0 son tour la microstructure et les propri\u00e9t\u00e9s du film.<\/p>\n Uniformit\u00e9 de la pulv\u00e9risation : les cibles de pulv\u00e9risation de tellure m\u00e9tallique de haute qualit\u00e9 doivent pr\u00e9senter une bonne uniformit\u00e9 de pulv\u00e9risation, de sorte que le film d\u00e9pos\u00e9 sur l’ensemble de la surface du substrat pr\u00e9sente une \u00e9paisseur et une r\u00e9partition des performances uniformes.<\/p>\n Caract\u00e9ristiques de liaison : la force de liaison avec le mat\u00e9riau de support (tel que le cuivre, l’aluminium, etc.) est \u00e9galement l’une des caract\u00e9ristiques importantes. De bonnes caract\u00e9ristiques de liaison peuvent garantir que la cible ne sera pas s\u00e9par\u00e9e du mat\u00e9riau de support pendant le processus de pulv\u00e9risation, ce qui affectera la stabilit\u00e9 de la pulv\u00e9risation et la qualit\u00e9 du film.<\/p>\n Cellules solaires : Les cibles de pulv\u00e9risation au tellure sont largement utilis\u00e9es dans les cellules solaires \u00e0 couche mince CdTe et CIGS pour d\u00e9poser ou doper les couches fonctionnelles, ce qui permet d’am\u00e9liorer la qualit\u00e9 du film, le rendement de conversion et les performances globales du dispositif.<\/p>\n Secteur des semi-conducteurs : Utilis\u00e9es dans la fabrication de circuits int\u00e9gr\u00e9s et de dispositifs de m\u00e9moire avanc\u00e9s tels que la m\u00e9moire \u00e0 changement de phase (PCM) pour former des couches minces dopantes, barri\u00e8res, isolantes ou \u00e0 changement de phase qui am\u00e9liorent les performances et la fiabilit\u00e9 des dispositifs.<\/p>\n Applications thermo\u00e9lectriques : Utilis\u00e9es pour pr\u00e9parer des couches minces thermo\u00e9lectriques \u00e0 base de tellure qui convertissent efficacement la chaleur en \u00e9lectricit\u00e9 pour la r\u00e9cup\u00e9ration de la chaleur perdue et la production d’\u00e9lectricit\u00e9.<\/p>\n Domaine de l’optique et de l’affichage : Appliqu\u00e9 dans les rev\u00eatements optiques, les d\u00e9tecteurs infrarouges et les \u00e9crans plats pour former des couches minces fonctionnelles qui am\u00e9liorent la transmission de la lumi\u00e8re, la sensibilit\u00e9 aux infrarouges, ainsi que l’efficacit\u00e9 et la stabilit\u00e9 des dispositifs.<\/p>\n Les cibles de pulv\u00e9risation du tellure sont scell\u00e9es sous vide dans des sacs en plastique ou en papier d’aluminium r\u00e9sistants \u00e0 l’humidit\u00e9, rembourr\u00e9es avec de la mousse de protection ou du rembourrage, et emball\u00e9es dans des cartons solides ou des caisses en bois pour \u00e9viter l’humidit\u00e9, l’oxydation et les dommages m\u00e9caniques pendant le transport, garantissant ainsi une surface propre et l’int\u00e9grit\u00e9 de la structure.<\/p>\n Les cibles de pulv\u00e9risation au tellure doivent \u00eatre stock\u00e9es dans un environnement frais, sec, propre et bien ventil\u00e9, \u00e0 l’abri de l’humidit\u00e9, des temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es et des gaz corrosifs. Gardez l’emballage herm\u00e9tiquement ferm\u00e9 et \u00e9vitez toute exposition fr\u00e9quente \u00e0 l’air pour pr\u00e9venir l’oxydation ou la contamination, afin de maintenir des performances stables et une dur\u00e9e de vie prolong\u00e9e.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":" La cible de pulv\u00e9risation de tellurium est un mat\u00e9riau cl\u00e9 largement utilis\u00e9 dans les domaines des semi-conducteurs, de l’\u00e9lectronique, de l’optique et d’autres domaines. Les atomes de tellurium sont pulv\u00e9ris\u00e9s et d\u00e9pos\u00e9s sur la surface du substrat pour former un film mince par bombardement d’un flux de faisceaux d’ions dans un environnement de vide pouss\u00e9. 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