Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur binaire \u00e0 bande interdite directe III\/V couramment utilis\u00e9 dans les diodes \u00e9lectroluminescentes depuis les ann\u00e9es 1990. Le compos\u00e9 est un mat\u00e9riau tr\u00e8s dur qui a une structure cristalline de Wurtzite. Sa large bande interdite de 3,4 eV lui conf\u00e8re des propri\u00e9t\u00e9s sp\u00e9ciales[clarification needed] pour des applications dans les dispositifs opto\u00e9lectroniques[8],[9], \u00e0 haute puissance et \u00e0 haute fr\u00e9quence. Formule chimique :GaNMmasse mol\u00e9culaire :83.730 g\/molApparence :poudre jauneDensit\u00e9 :6.1 g\/cm3Point de fusion :1600 \u00b0CSolubilit\u00e9 dans l\u2019eau :Insoluble\u00c9cart de bande :3,4 eV (300 K, direct)Mobilit\u00e9 \u00e9lectronique :1500 cm2\/(V\u00b7s) (300 K)Conductivit\u00e9 thermique :1,3 W\/(cm\u00b7K) (300 K)Indice de r\u00e9fraction (nD) :2.429Structure cristalline :WurtziteApplicationSa sensibilit\u00e9 aux rayonnements ionisants est faible (comme les autres nitrures du groupe III), ce qui en fait un mat\u00e9riau appropri\u00e9 pour les r\u00e9seaux de cellules solaires pour satellites. Les applications militaires et spatiales pourraient \u00e9galement en b\u00e9n\u00e9ficier, car les dispositifs ont montr\u00e9 une stabilit\u00e9 dans des environnements radioactifs. \u00c9tant donn\u00e9 que les transistors GaN peuvent fonctionner \u00e0 des temp\u00e9ratures et \u00e0 des tensions beaucoup plus \u00e9lev\u00e9es que les transistors \u00e0 l\u2019ars\u00e9niure de gallium (GaAs), ils constituent des amplificateurs de puissance id\u00e9aux aux fr\u00e9quences micro-ondes. De plus, le GaN offre des caract\u00e9ristiques prometteuses pour les appareils THz.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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