{"id":1050476,"date":"2024-06-17T15:47:25","date_gmt":"2024-06-17T07:47:25","guid":{"rendered":"https:\/\/vimaterial.de\/product\/oxido-de-hafnio-3\/"},"modified":"2024-06-17T15:47:25","modified_gmt":"2024-06-17T07:47:25","slug":"oxido-de-hafnio-3","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/vimaterial.de\/es\/product\/oxido-de-hafnio-3\/","title":{"rendered":"\u00d3xido de hafnio"},"content":{"rendered":"

\u00d3xido de hafnio<\/a><\/span> es un polvo cristalino blanco compuesto de elementos de hafnio y ox\u00edgeno, con alto punto de fusi\u00f3n, alta dureza, buena estabilidad qu\u00edmica, alta constante diel\u00e9ctrica, etc. Se utiliza ampliamente en semiconductores, \u00f3ptica, materiales de alta temperatura, industria nuclear y muchos otros campos.<\/p>\n

VIMATERIAL<\/a><\/span> ofrece polvo de \u00f3xido de hafnio de gran pureza con tama\u00f1os de part\u00edcula personalizables. Tambi\u00e9n suministramos part\u00edculas de \u00f3xido de hafnio y c\u00e1todos de \u00f3xido de hafnio. P\u00f3ngase en contacto con nosotros<\/a><\/span> para obtener m\u00e1s informaci\u00f3n.<\/p>\n

Propiedades<\/span><\/h2>\n

F\u00f3rmula qu\u00edmica: HfO\u2082<\/p>\n

Masa molar: 210,49 g\/mol<\/p>\n

Aspecto: polvo generalmente blanquecino o blanco<\/p>\n

Densidad: 9,68 g\/cm\u00b3<\/p>\n

Punto de fusi\u00f3n: 2810\u00b0C<\/p>\n

Punto de ebullici\u00f3n: 5400\u00b0C;<\/p>\n

Separaci\u00f3n de banda: 5,3 a 5,7 eV, un aislante el\u00e9ctrico;<\/p>\n

\u00cdndice de refracci\u00f3n: alto en la regi\u00f3n del ultravioleta cercano al infrarrojo medio, por ejemplo 2,13 a 1700 nm;<\/p>\n

Coeficiente de dilataci\u00f3n t\u00e9rmica: bajo<\/p>\n

Conductividad t\u00e9rmica: 1,1 W\/m-K<\/p>\n

M\u00f3dulo de Young: 57 GPa<\/p>\n

Resistividad el\u00e9ctrica: alta, normalmente 9 \u00d7 10\u2079 \u03a9-m.<\/p>\n

Aplicaciones del polvo de \u00f3xido de hafnio<\/span><\/h2>\n

Campo de los semiconductores<\/strong><\/p>\n

    \n
  • Diel\u00e9ctrico de puerta: el \u00f3xido de hafnio puede sustituir al SiO\u2082 en los MOSFET, permitiendo dispositivos m\u00e1s peque\u00f1os, r\u00e1pidos e integrados.<\/li>\n
  • Dispositivos de memoria: Su propiedad ferroel\u00e9ctrica permite su uso en memorias no vol\u00e1tiles como la FeRAM.<\/li>\n<\/ul>\n

    Campo \u00f3ptico<\/strong><\/p>\n

      \n
    • Recubrimientos \u00f3pticos: Mejoran la transmisi\u00f3n de la luz, reducen la reflexi\u00f3n y el deslumbramiento y proporcionan protecci\u00f3n contra los rayos UV.<\/li>\n
    • Materiales para l\u00e1ser: Se utilizan en componentes l\u00e1ser cercanos al UV para mejorar el rendimiento.<\/li>\n<\/ul>\n

      Cer\u00e1mica de alta temperatura<\/strong><\/p>\n

        \n
      • Materiales refractarios: Adecuados para hornos, crisoles y revestimientos de barrera t\u00e9rmica debido a su alta resistencia al calor.<\/li>\n
      • Herramientas de corte: Mejora la dureza y la resistencia al desgaste para el mecanizado de materiales duros.<\/li>\n<\/ul>\n

        \u00c1mbito qu\u00edmico<\/strong><\/p>\n

          \n
        • Catalizadores: Act\u00faa como catalizador o portador para mejorar la eficacia y selectividad de las reacciones.<\/li>\n<\/ul>\n

          Otros campos<\/strong><\/p>\n

            \n
          • Recubrimientos antirradiaci\u00f3n: Proporcionan protecci\u00f3n en entornos radiactivos.<\/li>\n
          • Biom\u00e9dico: Uso potencial en materiales dentales y m\u00e9dicos.<\/li>\n
          • Aeroespacial: Utilizado para componentes y revestimientos resistentes al desgaste y a altas temperaturas.<\/li>\n<\/ul>\n

            Envasado y almacenamiento<\/span><\/h2>\n

            Envasado: <\/strong><\/p>\n

            El polvo de \u00f3xido de hafnio suele ser de doble capa (por ejemplo, bolsa interior de polietileno + bolsa exterior de papel de aluminio o bid\u00f3n de pl\u00e1stico) para evitar la absorci\u00f3n de humedad o la reacci\u00f3n con impurezas transportadas por el aire. Debe incluirse un desecante, y la informaci\u00f3n sobre el producto, el n\u00famero de lote y las precauciones deben estar claramente etiquetados en el embalaje exterior para garantizar la seguridad y la trazabilidad durante el transporte y el uso.<\/p>\n

            Almacenamiento: <\/strong><\/p>\n

            El polvo de \u00f3xido de hafnio debe almacenarse en un ambiente seco, fresco y bien ventilado, evitando la humedad, las altas temperaturas y la luz solar directa, y mantenerse alejado de sustancias corrosivas como \u00e1cidos y \u00e1lcalis. Durante el almacenamiento, el envase debe mantenerse sellado para evitar la absorci\u00f3n de humedad, la formaci\u00f3n de grumos o la contaminaci\u00f3n.<\/p>\n

            Preguntas frecuentes<\/span><\/h2>\n

            P1: \u00bfPara qu\u00e9 se utiliza el \u00f3xido de hafnio?<\/strong><\/p>\n

            R: El \u00f3xido de hafnio (HfO\u2082) es un importante compuesto inorg\u00e1nico. Debido a su elevada secci\u00f3n transversal de absorci\u00f3n de neutrones t\u00e9rmicos, es un material clave para las barras de control de los reactores nucleares y tambi\u00e9n tiene amplias aplicaciones en semiconductores, \u00f3ptica y tecnolog\u00edas avanzadas de memoria.<\/p>\n

            Energ\u00eda nuclear e ingenier\u00eda de altas temperaturas: Barras de control de reactores nucleares y materiales de protecci\u00f3n, materiales refractarios y de revestimiento de alta temperatura, preparaci\u00f3n y precursores del hafnio met\u00e1lico.<\/p>\n

            Semiconductores y microelectr\u00f3nica: Capas diel\u00e9ctricas de compuerta de transistores, aplicaciones de memoria, otros componentes electr\u00f3nicos.<\/p>\n

            \u00d3ptica y materiales multifuncionales: Recubrimientos \u00f3pticos y materiales l\u00e1ser, cer\u00e1micas y catalizadores, materiales funcionales especiales.<\/p>\n

            P2: \u00bfCu\u00e1l es la diferencia entre Al2O3 y HfO2?<\/strong><\/p>\n

            R: El Al\u2082O\u2083 (\u00f3xido de aluminio) y el HfO\u2082 (\u00f3xido de hafnio) difieren principalmente en las propiedades diel\u00e9ctricas y el enfoque de aplicaci\u00f3n. El Al\u2082O\u2083 tiene una constante diel\u00e9ctrica m\u00e1s baja pero una excelente calidad de interfaz, alta estabilidad t\u00e9rmica y bajas fugas, lo que lo hace adecuado para capas de pasivaci\u00f3n e interfaz. El HfO\u2082 tiene una constante diel\u00e9ctrica mucho mayor, lo que es beneficioso para el escalado avanzado CMOS y los dispositivos de alta densidad, pero tiene unas fugas relativamente mayores y una estabilidad t\u00e9rmica menor. En la pr\u00e1ctica, el Al\u2082O\u2083 se utiliza para la estabilidad y el control de la interfaz, mientras que el HfO\u2082 se utiliza para el rendimiento de alto k, y la combinaci\u00f3n de ambos puede lograr un mejor rendimiento general del dispositivo.<\/p>\n

            P3: \u00bfQu\u00e9 es el \u00f3xido de hafnio?<\/strong><\/p>\n

            R: El \u00f3xido de hafnio (HfO\u2082) es un compuesto inorg\u00e1nico formado por hafnio y ox\u00edgeno. Es un importante material funcional perteneciente a la familia de los \u00f3xidos de metales de transici\u00f3n. Posee un alto punto de fusi\u00f3n (aproximadamente 2810\u2103), una gran dureza (dureza Mohs 6,5-7,5) y una excelente estabilidad qu\u00edmica, siendo pr\u00e1cticamente insoluble en agua y en la mayor\u00eda de los \u00e1cidos (excepto el \u00e1cido fluorh\u00eddrico) a temperatura ambiente. Estas propiedades lo convierten en un material fundamental en materiales de alta temperatura, revestimientos \u00f3pticos y dispositivos electr\u00f3nicos.<\/p>\n

            P4: \u00bfCu\u00e1l es el plazo de entrega del polvo de \u00f3xido de hafnio?<\/strong><\/p>\n

            R: En stock: Env\u00edo inmediato<\/p>\n

            Productos est\u00e1ndar: Generalmente 2-4 Semanas<\/p>\n

            Productos personalizados: Determinado en base a los detalles requeridos<\/p>\n

            Los requisitos especiales pueden ser discutidos<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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