Caracter\u00edsticasEl nitruro de galio (GaN) es un semiconductor binario de banda prohibida directa III\/V com\u00fanmente utilizado en diodos emisores de luz desde la d\u00e9cada de 1990. El compuesto es un material muy duro que tiene una estructura cristalina de wurtzita. Su banda prohibida ancha de 3,4 eV le otorga propiedades especiales[clarification needed] para aplicaciones en dispositivos optoelectr\u00f3nicos,[8] [9] de alta potencia y alta frecuencia. F\u00f3rmula qu\u00edmica:GaNMomposici\u00f3n horizontal:83.730 g\/molAspecto:polvo amarilloDensidad:6.1 g\/cm3Punto de fusi\u00f3n:1600 \u00b0CSolubilidad en agua:InsolubleBrecha de banda:3.4 eV (300 K, directo)Movilidad electr\u00f3nica:1500 cm2\/(V\u00b7s) (300 K)Conductividad t\u00e9rmica:1.3 W\/(cm\u00b7K) (300 K)\u00cdndice de refracci\u00f3n (nD):2.429Estructura cristalina:WurtziteAplicaci\u00f3nSu sensibilidad a la radiaci\u00f3n ionizante es baja (como otros nitruros del grupo III), lo que lo convierte en un material adecuado para conjuntos de c\u00e9lulas solares para sat\u00e9lites. Las aplicaciones militares y espaciales tambi\u00e9n podr\u00edan beneficiarse, ya que los dispositivos han demostrado estabilidad en entornos de radiaci\u00f3n. Debido a que los transistores de GaN pueden operar a temperaturas mucho m\u00e1s altas y funcionar a voltajes mucho m\u00e1s altos que los transistores de arseniuro de galio (GaAs), son amplificadores de potencia ideales a frecuencias de microondas. Adem\u00e1s, el GaN ofrece caracter\u00edsticas prometedoras para los dispositivos THz.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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